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锂离子电池办理芯片的研讨及其低功耗规划 — 模仿电路的低功耗规划办法

近年来,锂离子电池以其能量密度高、自放电率低、单节电池电压高等优点,获得了广泛应用,相应的电池管理芯片研究也在不断地完善与发展。其中,为了尽可能保证电池使用的安全性并且延长电池的使用寿命,电池管理芯片

2.2.2模仿电路的低功耗规划办法

1弱反型区/亚阈值区电路

传统的模仿电路中,MOS管作业在强反型区也意味着需求更多的功耗,在低功耗规划中能够将作业区域进行拓宽,以求得功耗和面积之间的平衡。其间,研讨得较多 的是MOS管作业在亚阈值区(Sub-threshold Region)或弱反型(Weak I nversion,WI)区的电路。当增强型MOS管在低于阈值电压作业时,沟道漏电流并不为零,而是存在一个亚阈值电流,此刻器材处于弱反型状况。

首要,来推导MOS管的弱反型电流模型。一般,偏置在弱反型的MOS管中,漏电流ID首要由分散电流决议,它和PN结中少子的热激起相关,因而电流值也和衬底温度亲近有关。此刻,ID能够用端电压的方式导出:

其间,可令为耗尽层电容,在现代CMOS工艺中,k的值在0.6到0.8之间,一般取k=0.7,n为亚阈值因子。能够看出,ID与沟道电压呈指数联系。在式(2.2.21)和(2.2.22)中,有

其间,V T0为本征阈值电压。在式(2.2.22)中,界说

从上式知,ID0以指数方式依赖于VG,规划中很难操控。所以,要将MOS管偏置在弱反型区,一般选用固定的漏电流I D而不是固定的栅压VG

接下来,评论弱反型MOS管的饱满电压特性。当VDS>4UT或5UT时,由式(2.2.21)得

能够为在弱反型区的饱满电压为

在常温下,式(2.2.26)中标准的VDS(sat)约为100mV,因而在极低的电源电压下,即便选用cascaded结构,弱反型区电路依然能够取得满意的摆幅,而且功耗极低。

而由漏电流方程,很简略推导出弱反型区MOS管的跨导为

由 式(2.2.27)知,和作业在强反型区的MOS管不同,弱反型MOS管的跨导只与作业电流成线性联系。在给定的容性负载下,跨导直接影响着器材的最小噪 声、驱动才能和带宽,所以能够使MOS管作业在弱反型区,来取得给定电流下的跨导最大值。这些长处,在低电压低功耗规划中非常具有吸引力。

可是将MOS管偏置在弱反型区,需求较高的W/L,则意味着较大的电容、较大的器材面积。别的,亚阈值电路中还有一些实践问题需求考虑。

一是噪声对电路功耗有约束。如图2.2.3所示的带有源负载的OPA中,输入级作业在弱反型区时,因为gm =I/(nUT)则由式(2.2.9)和式(2.2.13)决议的DR GBW值将与VGS-VTH无关。因而,作为跟从器时,OPA所需求的最小功耗满意

别的,还需求考虑精度对功耗的影响。MOS管作业在弱反型区,gm/ID值较大,式(2.2.16)则变为

式(2.2.29)能够看出,因为弱反型MOS管有较大的电流失配,并不适宜用在电流信号电路如电流镜中,但在电压信号处理电路如差分对中,失调到达最小,仅由阈值电压失配决议,即能完结最佳精度。

考虑到单端输入,作业在弱反型区的器材,增益带宽积为

式(2.2.31)给出了弱反型区器材的功耗-速度-精度的联系式,相同在更杂乱的电路方式中,上式依然适用。

2电流方式电路

电 流方式(Current-mode circuit)CMOS电路自1983年初次提出后,日益遭到重视。所谓的电流方式电路,是指选用电流而不是电压为电路中的信号变量,并经过处理电流变 量来决议电路的功用,即前面说到的电流信号处理电路。和电压方式电路相反,电流信号源具有高输出阻抗,所以要求负载阻抗低,电路中要害节点阻抗低。在低压 低功耗运用中,电流方式电路的这些特色有宽广的运用远景。

首要,能够在确保功用的前提下,经过进一步下降电源电压来完结低功耗。

不管是接连时刻体系仍是离散时刻体系中,电流、电压方式电路中与动态规模相关的功耗满意下式

式(2.2.32)中可见,为了保持相同的DR*GBW值,当电源电压下降时,电压方式电路中需求耗费比电流方式电路更多的功率。别的,电流方式电路的电压摆幅低,这都阐明晰在低功耗规划中,电流方式电路更简略满意低电压要求。

其次,电流方式电路更简略满意速度的要求。如式(2.2.18)阐明,器材的作业速度、带宽与节点电容成反比,而电流方式电路的低电容节点确保了有更快的充放电速度,因而有望能够在高频高速场合中取得运用。

最终,电流方式电路显着更简略完结依据电流信号的运算。模仿电路中许多根本的运算功用,如加、减、乘、积分等,用电流方式电路完结要比电压方式电路简略。比方,在一个低阻抗节点就能够完结电流信号的加或减运算。

3浮栅技能

浮栅(Floating Gate,FG)技能是另一个用于减轻模仿电路对电源电压要求的办法。几十年来,FG MOS管被用在数字EPROM或EEPROM中,近年来有一些文献介绍了FG MOS管在模仿电路中的运用。

图2.2.4给出了一个多输入的FG MOS管电路结构模型。由图可见,FG MOS管的浮栅类似于传统MOS管的栅极,可是浮栅电压VFG不是被直接操控,而是经过电容耦合由操控栅极决议。

假如是两输入结构的FGMOS管,其间的一个栅极被称为偏置栅极,加上较高的直流偏置电压V B;另一个加上信号则被称为信号栅极,则MOS管的等效阈值电压为


式中,k 1 =C G1 /C TOPAL,k2=CG2/CTOPAL,其间CG1、CG2分 别是浮栅和操控栅间的电容,C TOPAL则是图2.2.4中所示%&&&&&%总和。FG MOS管的一个杰出长处是浮栅和其它节点的电阻隔非常抱负,所以电荷能够安稳存在,乃至能长达数年。恰当改动浮栅上的静电荷数量,即挑选恰当的k 1和k 2值,由式(2.2.33)可知,操控栅极上的等效阈值电压能够下降,然后得到一个低VTH的MOS管,可用于低压模仿电路中。

明 显地,这项技能需求制造浮栅,工艺较为杂乱,惯例工艺下无法完结;别的,FG MOS管的输出阻抗较低,因而也只适宜用于低增益电路结构。事实上,FG MOS技能运用于低压模仿电路的规划,还正处于试验阶段,如FG CMOS模仿微调(trimming)电路、神经网络元件、乘法器、D/A转换器和放大器等。

4体驱动MOS管技能

体 驱动或衬底驱动MOS管(Bulk-driven or Body-driven MOSFET)技能是由A. Guzinski等于1987年初次提出的,起初是用作OPA差分输入级中的有源元件,意图是下降g m以进步线性度。为了满意低电源电压要求,文献[72]运用体驱动MOS管的耗尽特性,规划了一个具有rail-to-rail共模输入规模的1V运放。 体驱动技能只能用于阱内的MOS管,如图2.2.5所示,能够等效为一个结型场效应管。

传统MOS管中,漏电流ID遭到栅源电压VGS操控;阱源电压也会影响ID,但只是一个寄生效应,可用体跨导gmb表征。可是如图2.2.5所示,假如将VGS固定为一个能使MOS管导通的直流偏压VB,信号施加在阱(也被称为体栅极)上时,将得到一个类似于JFET.详细地讲,便是运用衬偏效应调理MOS管的阈值电压VTH,然后到达操控电流ID改动的意图。

体驱动MOS管运用于低压模仿电路规划,首要依据以下长处:

第 一,它作为一个耗尽型器材作业,所加的偏压可为负、零或是一个很小的正值。这关于电路中器材的阈值电压V TH将不再有特殊要求,在低压下电压摆幅也能够进步,因而作业电压也简直能够下降到极限(关于V TH≈0.8V的器材,最小的作业电压乃至可为0.9V)。第二,依据较大的电压开/关比,可运用惯例的前栅极来调理体驱动MOS管。

当然,体驱动MOS管还有一些缺陷不容疏忽:首要,从本质上,体驱动管的体跨导g mb低于惯例MOS管的gm(gmb/ gm值 一般在0.2~0.4),因而GBW低,频率呼应低,相应放大器的输入噪声也比惯例放大器的高;其次,体驱动管的极性与制造工艺亲近相关,如在P阱工艺 中,只能制得N型体驱动MOS管,所以一般不适宜用作CMOS电路结构;再者,在不同的阱中制造体驱动MOS管,必须将阱阻隔;还有,寄生BJT简略导 通,易发生闩锁(latch-up)效应。

5计划比上面提出的有望在低压场合取得运用的低功耗技能,并不是能够无条件的挑选运用,还要根 据规划要求及所用工艺条件来判别,表2.1列出了这几种技能的功用比较。实践的模仿电路规划中,能够挑选其间一种适宜的计划进行功耗优化;乃至还能够依据 运用特色,将几种计划有机组合运用。

2.3数模混合电路的低功耗规划

鉴于越来越多的混合信号体系的呈现,将数字电路和模仿电路分隔考虑的低功耗规划也遭到了应战。能够预见的是,假如将混合信号电路作为一个全体,在按传统办法对数字和模仿部别离离进行功耗优化后,再进行一致的功耗办理,难度将更大,但功耗优化的作用也将更显着。

从 前面的评论可知,在静态下数字电路所耗费的功率较小,可是模仿电路为了完结正常的功用需求满意大的作业电流,具有相对高的静态功耗。混合信号体系中,假如 操控暂时不作业、也不影响整个体系输出的模仿电路模块,经过献身必定的功用来交换功耗的下降,则整个体系的静态功耗将明显减小。这种操控信号能够分为两 种:一种是外加的数字信号,能够人为地操控模仿电路的作业;另一种则是由内部数字模块发生,并能够自动操控。显着,后者更简略灵敏。图2.3.1给出了混 合信号体系中,由内部数字信号操控模仿电路下降功耗的拓朴图。

从 图2.3.1能够看出,和传统的混合信号电路比较,体系中只是添加了一个操控信号发生电路(Control Signal Generator)和一个开关(Switch),结构简略。电路作业原理如下:运用数字模块中的内部信号发生一个操控信号,并经过一个开关电路有用地控 制不需求作业的模仿电路模块。图2.3.1的另一个长处是电路兼容性好,即能够在不改动原有体系的情况下,添加一些开关和操控信号完结低功耗。更杰出的 是,原先将模仿电路和数字电路中分隔考虑的功耗优化办法依然适用。

图2.3.1所示的功耗优化是数模混合信号体系的动态功耗办理,能够经过不同的途径完结。一种是能够学习数字电路中的门控时钟技能。关于时钟操控的硬件单元,将其呼应不影响功用的电路作业频率下降,将能够节约电路功耗。

由 于这种门控时钟技能是一种很遍及的数字电路功耗办理办法,所以运用于模仿电路中难度并不大,可是它也只适用于动态模仿电路。还要着重的是,时钟门控不能消 除功耗,假如是本地时钟门控或许时钟发生电路一直是作业的,那么时钟电路依然有动态功耗,而且即便时钟信号悉数暂停,也不能防止走漏电流所发生的功耗。因 此,假如要到达最小功耗的方针,用这种门控时钟的办法不必定能完结。另一种办法是,将处于闲暇状况的电路电源简略关断,理论上则能够彻底消除电路的功耗。 这种办法适用面宽,假如选用内部数字信号则完结相对简略,而且对数字电路和模仿电路都有用。可是,这种办法需求要点处理以下问题:

① 操控信号的设置。因为能够选用内部数字信号,因而需求决议是否关断电路、何时关断、关断多久,即动态功耗办理战略将是研讨的要点和难点。如何将数字电路的 低功耗规划办法扩展到整个混合信号体系中,这方面文献报导较罕见。而且,所添加的操控信号发生电路会有额定的功耗,而且其输出不能够影响电路的正常作业, 这些在规划时都需求考虑。

②开关电路的完结。开关电路能够堵截电源到模仿模块,或许从模仿模块到地的电流通路。开关电路的方式有多种,在 数字电路中,能够在输入端参加锁存器,来发生使能信号;而在模仿电路中,提出了所谓体系级的电流操控办法,即规划一个体系级的电流源,在体系启动时作业, 将由它发生的电流源/沉配送给体系中的散布式电流源/沉,然后再进一步再生和扩展成为模仿电路所需求的电流源/沉。数字电路操控信号经过操控散布式电流源 /沉的开关状况,来操控模仿电路的作业与否。这种体系级电流使能操控电路,不只添加了电路规划的杂乱度和难度,还给数字操控电路提出了更高的要求,只是适 用于多种功耗方式的办理体系。

假如选用单个MOS管充任简略的开关电路,它能够作为一个电流势垒,由数字电路操控来操控模仿电路进入不作业的状况。而且,开关管是在原有模仿电路加上的,能节约附加电路所引起的功耗,因而关于功耗方式较少的体系,单MOS操控管则是一种简洁有用的办法。

总归,在数模混合电路中,在将数字电路和模仿电路别离进行低功耗规划的前提下,再依据负载、电源等,由内部数字电路发生操控信号,灵敏地关断不作业的模仿电路模块,将有用地节约混合信号体系功耗。

2.4小结本章对数模混合电路低功耗所触及的办法进行了评论和研讨。

在 传统的低功耗规划中,均将数字电路和模仿电路别离考虑。从数字电路中根本的功耗方程动身,总结了影响电路功耗的四个首要因素;从电路规划的视点,要点评论 了体系结构级、寄存器传输级、逻辑/门级、地图级的数字电路低功耗规划办法。对模仿电路完结低功耗的根本约束条件作了评论;剖析了规划时所遇到的实践约束 条件,并进行了数学推导,给出了噪声决议的功耗和精度决议的功耗表达式;总结了四种低压低功耗模仿电路办法,并对亚阈值电路和电流方式电路中,与噪声和精 度相关的功耗进行了数学描绘,剖析比较了四种计划的适用性。

提出了将数字电路和模仿电路协同考虑的数模混合电路低功耗拓朴;提出了在按传统办法对两部别离离进行功耗优化后,再将数字电路的动态功耗办理技能推广到整个混合信号体系,操控关断不需求作业的模仿电路模块;并对操控信号发生电路和开关电路作了剖析评论。

本章是以下各章研讨的理论基础。

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