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S3C6410学习——MemoryMap

S3C6410跟S3C2440不同,S3C6410支持32位物理地址空间并将该地址空间分为2个部分,一部分是存储空间,另一部分是外设空间。其中主存储空间通

S3C6410跟S3C2440不同,S3C6410支撑32位物理地址空间并将该地址空间分为2个部分,一部分是“存储空间”,另一部分是“外设空间”。其间主存储空间经过SPINE总线拜访,其地址空间为0x0000,0000~0x6FFF,FFFF,主存储空间又分为4个区域——引导镜像区(boot image area),内部存储区(internal memory area),静态存储区(static memory area)和动态存储区(dynamic memory area)。

引导镜像区(boot image area)的地址空间为0x0000,0000~0x07FF,FFFF,可是没有实践的内存映射,引导镜像区映射到内部存储区或许静态存储区的部分区域,而且开始地址固定为0x0000,0000。

内部存储区供boot loader拜访内部ROM(internal ROM)和内部SRAM(internal SRAM),也称为Steppingstone。每个内部存储器的开始地址都是固定的。内部ROM的地址空间为0x0800,0000~0x0BFF,FFFF,可是实践的存储空间只要32KB,这一区域是只读的,且当发动方法挑选为内部ROM发动时,该区域应该映射到引导镜像区(boot image area)。SRAM的地址空间为0x0C00,0000~0x0FFF,FFFF,可是实践的存储空间只要4KB。

静态存储区的地址空间为0x1000,0000~0x3FFF,FFFF,经过这个区域能够拜访SROM,SRAM,NOR Flash,异步NOR接口设备,OneNand Flash和Steppingstone。每个区域对应一个片选,例如,地址空间0x1000,0000~0x17FF,FFFF对应Xm0CSn[0]。每个片选的开始地址是确认的。Nand flash和CF/ATA不能经过静态存储区拜访,所以假如Xm0CSn[5:2]对应的恣意区域映射到NFCON或CFCON都导致其对应区域的地址空间无法拜访。一个特例是当Xm0CSn[2]对应的区域用于NAND Flash时Steppingstone映射到地址空间0x2000,0000~0x27FF,FFFF。

动态存储区的地址空间为0x4000,0000~0x6FFF,FFFF,DMC1有权运用0x5000,0000~0x6FFF,FFFF的地址空间。每个片选的开始地址是能够装备的。

外设空间经过PERI总线拜访,并其地址空间为0x7000,0000~0x7FFF,FFFF。一切的特别功用寄存器都能够经过这个区域拜访。假如数据来自NFCON或CFCON,这些数据也经过PERI总线拜访。

主存储区的内存散布状况如下:

外设空间散布状况请直接参考手册,以上纯属个人了解的芯片手册,如有遗漏,敬请指出。

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