这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、规划更简略
我国，2013年11月20日 ——横跨多重电子使用领域、全球抢先的半导体供货商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣告与 Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技能(Algorithmic Memory Technology)。新技能将用于制作选用全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI，fully-depleted silicon-on-insulator)技能的专用集成电路(ASIC，application-specific integrated circuits)和体系芯片(SoCs，Systems on Chips) 的内部存储器。
当集成到选用FD-SOI技能的产品时，Memoir Systems的算法存储器没有丢失任何功能，这归功于 FD-SOI在功耗和功能上的优势 。此外，FD-SOI的极低软错误率 结合超低走漏电流关于包含网络、交通、医疗和航空等要害使用含义严重。
意法半导体规划支撑和服务履行副总裁Philippe Magarshack表明：“就FD-SOI工艺自身而言，FD-SOI装备了ASIC和SoC规划东西，与其它制作工艺比较，它可完成速度更快，散热更低。并且增加了Memoir Systems的知识产权后，咱们把FD-SOI产品变得更具吸引力，并展现了其简略的移动特色。”
Memoir Systems一起创办人兼首席履行官Sundar Iyer表明：“咱们专心于打破存储器技能，完成更短的规划周期和极高的功能，这使咱们的同类最优的算法存储技能可以嵌入FD-SOI渠道，这关于咱们和客户都具有重要含义。简略的移动特色结合众所周知的优异功能证明，FD-SOI可完成速度更快、散热更低、规划更简略。”
作为抢先的ASIC出产厂商，意法半导体首先推出了打破性的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制作工艺，扩展和简化了现有平面体硅制作工艺。FD-SOI晶体管提高了静电特性，缩短了沟道长度，因而作业频率高于选用传统CMOS制作的晶体管。
