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小漫电子到货VBsemi(微碧半导体)SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只

河北小漫电子经销VBsemi(微碧半导体)全系列产品,今日到货SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只,欢迎前来咨询! SI2308DS-T1-GE3-VB基本参数: 属性…

河北小漫电子经销VBsemi(微碧半导体)全系列产品,今日到货SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只,欢迎前来咨询!

SI2308DS-T1-GE3-VB基本参数:

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 3.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@10V,1.9A
功率(Pd) 1.66W
阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA

17393386321-1

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