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产品概况
ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，选用无铅的外表贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施运用，如长时间演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理才能（105°C 时的均匀典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。
片内电路运用 5 V 的单一正电源作业，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为根据 Pin 二极管的开关的抱负代替计划。
此器材选用契合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。
运用
- 蜂窝/4G 基础设施
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性运用
- 测验设备
- Pin 二极管代替计划
优势和特色
- 反射式 50 Ω 规划
- 低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理才能
- 耐久（>10 年运转）
- 峰值功率：43 dBm
- 接连波功率：38 dBm
- 均匀 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
- 耐久（>10 年运转）
- 单一事情（<10 秒运转）
- 均匀 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm
ADRF5132电路图
ADRF5132中文PDF下载地址
ADRF5132下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/adrf5132.pdf
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