晶体管的电参数，在惯例状况下可分为极限参数、直流参数(DC)、沟通参数(AC)等。但在实践的运用中，我发现还有许多想测而无法测量到的参数，为使作业便利，我便称其为“功用参数”。别离述之：
一、极限参数
所谓极限参数，是指在晶体管作业时，不论因何种原因，都不答应超越的参数。这些参数惯例的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管作业的环境(包含温度、湿度、电磁场、大气压等)、存储条件等。在民用电子产品的运用中，根本只关怀前三个。
1、 晶体管的反向击穿电压
界说：在被测PN结两头施加接连可调的反向直流电压，调查其PN结的电流改变状况，当PN结的反向电流呈现剧烈添加时，此刻施加到此PN结两头的电压值，便是此PN结的反向击穿电压。
每个晶体管都有三个反向击穿电压，别离是：基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。
此电参数对工程规划的指导意义是：决议了晶体管正常作业的电压规模。
由此电参数的特性可知，当晶体管在作业中呈现击穿状况，将是十分风险的。因而，在规划中，都给晶体管作业时的电压规模，留有满足的余量。实践上，当晶体管长时间作业在较高电压时(晶体管实测值的60%以上)，其晶体管的可靠性将会呈现数量级的下降。有爱好的可以参阅《电子元器件降额原则》。
许多公司在对来料进行入库查验时发现，一些种类的反向击穿电压实测值要比规范书上所标的要大出许多。这是怎么回事呢?
晶体管在出产制作过程中，与一些咱们常见的出产彻底不一样。在晶体管的出产过程中，可以分红二大块：芯片制作和封装。在工程分类中，习气把芯片制作统称为 “前道”，而把封装职业统称为“后道”。在前道出产中，从投料开端选原资料，到芯片出厂，全部操控数据，给出的都是规模。芯片在正常出产时，投料的最小单位是“编号批”，每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。就以4寸片为例，每片可出合格的晶体管只数少则上千，多则可近10万。在实践出产中，最小出产单位是“分散批”，一个分散批所投的园片从150片到250片之间。可以幻想出，在芯片的前道出产中，每次投料，对以单只来核算的晶体管而言，是一个什么样的数量概念。不说其他，要让一个分散批一切的资料，具有相同的电特性(这儿，也可以说是硅片的电阻率)，是不可能的。加上硅片中，不可避免的会有一些固有的缺点(半导体晶格的层错和位错)，使得在简直相同环境中出产出的同一种类的晶体管，不可能具有彻底相同的电特性。这样只能给出一个我们都能承受的规模，这便是产品规范书。
为了进步出产功率，现在许多芯片厂都把芯片的“免测率”作为出产线工序才能的一项重要查核目标。所谓的“免测”，是指产品的参数靠规划、工序操控来到达，加工完毕后，经过抽测部分相关点的参数，来判别此片的质量状况。当此片的抽测合格率在96%以上时，就把此片芯片列入“免测片”。要使晶体管芯片到达免测验，就必须对其间的一些参数进行“余量扩大”。而晶体管的反向击穿电压便是要点之一。为了进步晶体管的反射击穿电压，芯片投料时，就会对资料进行优化，优化的考虑是在最差的工艺加工状况下，所出产出的晶体管反向击穿电压也要比规范书高10~20%，而在出产操控时，为了到达出产工艺规划时的目标，又会考虑在最差的状况下，使产品可以到达规划要求，这样，就使现已被扩大过一次的目标再次被大10~20%。这样，就使本来只需求反向击穿电压到达20~30V的晶体管，在实测时，部分就能到达60V以上，乃至更高。这便是为什么有时一些晶体管的反向击穿电压实测值会远大于规范书的原因。虽然一些晶体管的反向击穿电压值远大于规范书，那么，是否就可以以实测值来作为运用的根据呢?答复是否定的。
这是由于，一切的晶体管测验程序，都是以规范书上所供给的参数规模，来作为不同晶体管合格与否的规范。对反向击穿电压而言，只需比规范书上所规则的值大，就判为合格。假如你测量到的反向击穿电压要远高于规范书，不要认为供货商今后发给你的货，都是具有与此相同的电压特性，供货商所供给的产品，永久只会许诺以规范书为准，也只能是以规范书为准供给产品。规范书上所许诺的，是实践的，而其它，都是虚的。因而，主张在规划选型时，必定要以规范书为准，并留下满足的余量，而不是以什物的测验值为准。
在一些高反压晶体管的规范书上，有些反向击穿电压以BVcer和BVcbr来表述。此种表述的意义是：
BVcer ——基极与发射极之间，接有一只KΩ量纲的电阻，其它测验原理、测验条件与BVceo相同。相同，BVcbr在测验晶体管的C-B结的反向击穿电压时，其晶体管的发射极不是悬空，而是经过一只KΩ量纲的电阻接到“零电位”。晶体管的反向击穿电压凹凸的摆放是： BVcbo≥BVcbr>BVcer>BVceo。
