在运用MOS管规划开关电源或许马达驱动电路的时分，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有许多人只是考虑这些要素。这样的电路也许是能够作业的，但并不是优异的，作为正式的产品规划也是不允许的。
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路根底的一点总结，其间参阅了一些材料，非悉数原创。包含MOS管的介绍，特性，驱动以及运用电路。
1，MOS管品种和结构
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），能够被制作成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4品种型，但实践运用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以一般说到NMOS，或许PMOS指的便是这两种。
至于为什么不运用耗尽型的MOS管，不主张寻根究底。
关于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且简单制作。所以开关电源和马达驱动的运用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是咱们需求的，而是由于制作工艺约束发生的。寄生电容的存在使得在规划或挑选驱动电路的时分要费事一些，但没有方法防止，后边再具体介绍。
在MOS管原理图上能够看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载（如马达），这个二极管很重要。趁便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部一般是没有的。
2，MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于必定的值就会导通，适宜用于源极接地时的状况（低端驱动），只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
PMOS的特性，Vgs小于必定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的状况（高端驱动）。可是，尽管PMOS能够很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般仍是运用NMOS。
3，MOS开关管丢失
不管是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上耗费能量，这部分耗费的能量叫做导通损耗。挑选导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时分，必定不是在瞬间完结的。MOS两头的电压有一个下降的进程，流过的电流有一个上升的进程，在这段时间内，MOS管的丢失是电压和电流的乘积，叫做开关丢失。一般开关丢失比导通丢失大得多，并且开关频率越快，丢失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，形成的丢失也就很大。缩短开关时间，能够减小每次导通时的丢失；下降开关频率，能够减小单位时间内的开关次数。这两种方法都能够减小开关丢失。
4，MOS管驱动
跟双极性晶体管比较，一般以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于必定的值，就能够了。这个很简单做到，可是，咱们还需求速度。
在MOS管的结构中能够看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实践上便是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间能够把电容当作短路，所以瞬间电流会比较大。挑选/规划MOS管驱动时榜首要留意的是可提供瞬间短路电流的巨细。
第二留意的是，遍及用于高端驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个体系里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。许多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该挑选适宜的外接电容，以得到满足的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，规划时当然需求有必定的余量。并且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，但在12V轿车电子体系里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其丢失，能够参阅Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。叙述得很具体，所以不计划多写了。
5，MOS管运用电路
MOS管最明显的特性是开关特性好，所以被广泛运用在需求电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
这三种运用在各个范畴都有具体的介绍，这儿暂时不多写了。今后有时间再总结
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