在英特尔下一代处理器将援助新代代记忆体DDR4 DRAM下，包含三星、美光及海力士及相关模组厂，近期也相继导入DDR4 DRAM试产举动，业者着重，DDR 4 DRAM因功耗低，运算速度更快，且援助矽钻孔(TSV)3D IC规划，意料下一年可望成为伺服器新宠。
DRAM业者表明，和DD3 DRAM比较，DDR4未来功耗将远低于1.2伏特，比现在的DDR 3 1.5伏特更低，而材料转换率每秒更达3.2Gb，一起具有16个族群，远比DDR3的材料转换率每秒2.13Gb、8个族群，材料处理速度更快且频宽更宽。
不过，主导半导体技术标准的JEDEC，此次对未针对DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板规划，导致记忆体模组厂只能按照曩昔累积的规划能力，投入开发DDR 4 记忆体模组。
日前率先在英特尔开发者论坛，抢先业界针对企业用户、伺服器渠道，展现新代代DDR4记忆体模组的威刚，表明看好DDR4 DRAM未来使用。
威刚表明，未来仍会依循英特尔主导的标准进行相关DDR4规划，在JEDEC未拟定公板下，将采客制化，依企业用户需求，供给这项更高功能的记忆体贮存计划。
威刚表明，因为DDR 4没有处于量产阶段，初期价格意料也会十分贵重，但因这项新记忆体导入更新的防错规划，也援助TSV 3D IC架构，是未来3D IC必备的新代代记忆体，初期将会切入伺服器等使用领域。
据了解，包含三星、美光及SK海力士均已投入试产阶段;国内DRAM大厂华亚科和南科，也预订第4季开端试产。
