二极管的功能可用其伏安特性来描绘。在二极管两头加电压U，然后测出流过二极管的电流I，电压与电流之间的联系i=f(u)便是二极管的伏安特性曲线，如图1所示。
图1 二极管伏安特性曲线
二极管的伏安特性表达式能够表明为式1-2-1
其间iD为流过二极管两头的电流，uD为二极管两头的加压，UT在常温下取26mv。IS为反向饱满电流。
1、正向特性
特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，简直等于零。只有当二极管两头电压超越某一数值Uon时，正向电流才显着增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的资料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
当正向电压超越死区电压后，跟着电压的升高，正向电流将敏捷增大，电流与电压的联系根本上是一条指数曲线。由正向特性曲线可见，流过二极管的电流有较大的改变，二极管两头的电压却根本坚持不变。经过在近似剖析核算中，将这个电压称为敞开电压。敞开电压与二极管的资料有关。一般硅二极管的死区电压为0.7V左右，锗二极管的死区电压为0.2V左右。
2、反向特性
特性曲线1的左半部分称为反向特性，由图可见，当二极管加反向电压，反向电流很小，并且反向电流不再跟着反向电压而增大，即达到了饱满，这个电流称为反向饱满电流，用符号IS表明。
假如反向电压持续升高，当超越UBR今后，反向电流急剧增大，这种现象称为击穿，UBR称为反向击穿电压。
图2 二极管的温度特性
击穿后不再具有单向导电性。应当指出，产生反向击穿不意味着二极管损坏。实际上，当反向击穿后，只需留意操控反向电流的数值，不使其过大，即可防止因过热而烧坏二极管。当反向电压下降后，二极管功能仍或许康复正常。
3、温度对二极管伏安特性的影响
温度升高，正向特性左移，反向特性下移;室温邻近，温度每升高1℃;正向压降削减2-2.5mV;室温邻近，温度每升高10℃，反向电流增大一倍。二极管的温度特性如图2所示。
