1 概述
多年来，单片机体系都运用SRAM随机存储器。而存储器在电源封闭时的数据是否可以坚持是令用户和生产厂家都感兴趣的问题。现代半导体存储器技能已进入纳米级容积和纳秒级速度阶段，各种规格的存储器也相继呈现。AT29系列芯片是一种与通用的SRAM如6264、62256等在芯片引脚、读出与接口办法上都彻底兼容的存储器，并且写、擦数据可编程。本文描绘了AT29C010的编程（写）操作办法。
AT29系列的编程是一个简略的可重复的进程。将每种芯片的总存储量区分成为数个存储阵列（扇区），每次编程一个扇区，不同类型存储器的扇区容量和扇区数不相同，其标识也就不同。AT29C系列在单电源5V或3V时的编程时刻分别为10ms或20ms。其间AT29C系列中的AT29C256共含有512个扇区，每个扇区为64字节；AT29C040含有1024个扇区，每个扇区各为512字节。如果在准备好数据和扇区号的情况下，一切AT29系列的编程可运用同一个算法，而仅需三条LOAD指令，称为“写维护数据”（SDP）。在三条指令之后是编程写入等待时刻（Twc）。写数据维护手法可用于拜访厂家标识、芯片标识、写数据和擦除数据等操作，而只要读数据操作不用事前进行“写数据维护”。三条LOAD指令按操作不同而略有差异。如拜访芯片标识装入‘90H’和‘F0H’，写数据到指定扇区则为‘A0H’，而擦除操作则为‘80H’和‘10H’。三条LOAD指令的流程如图1所示。图中括号内为DATA总线上的数据，箭头右边是AT29的芯片地址。AT29C010体系写数据维护的运转时序如图2所示。
2 AT29C010的功用特色
AT29C010具有低功耗、可重复编程、存储容量大以及可进行数据维护等功用和特色。它的动态作业电流为50mA。一起具有CMOS坚持状况，此状况下的电流为100μA。其每扇区可重复编程和擦除次数大于1万次，写守时周期为10ms，读出时刻达70ns，AT29C010的存储容量为1兆位（128×8）存储单元、1024个128字节扇区，一起还带有内部可控制守时器和两个8k字节块封闭，以及软件数据维护和编程完毕查验功用。一切AT29系列芯片的出厂标识均为1FH。表1列出了AT29C系列芯片在选用单5V电源时的功用比较。
3 AT89C51与AT29C010的接口电路
以AT89C51为中心的单片机体系一般都衔接有SRAM数据存储器，而使用AT29C010可在封闭电源前将数据保存起来。图3所示是AT89C51和AT29C010的接口电路，其间的地址规模分别为：
4 AT29C010的软件编程
因为Write＿Sector汇编程序先要履行“写数据维护”指令，因而，A0～A2的地址线分别由AT89C51的P0、P2供给，A13～A16则由P1的低4位供给。在写操作中，读信号一直为HIGH高电平。下列延时程序中的delay 10ms假设为已知。详细程序如下：
b lock—number EQU08h；扇区高端地址A13～A16
的内容
s ector—size EQU7Fh；数据长度0～127
