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LDO在手机规划中的使用

随着社会的进步,使用者对通讯便利性要求越来越高,使得手机行业在近几年有了飞速的发展。从模拟到数字,从黑白屏到彩屏,从简单的通话功能到网上冲浪、可视对讲、移动电视、GPS定位,新的应用层出不穷。但随着手

跟着社会的前进,使用者对通讯便当性要求越来越高,使得手机职业在近几年有了飞速的开展。从模仿到数字,从黑白屏到彩屏,从简略的通话功用到网上冲浪、可视对讲、移动电视、GPS定位,新的使用层出不穷。但跟着手机体系功用越来越杂乱,对供电体系的稳定性、供电电压、功率和本钱的要求也越来越高。相应的体系供货商,例如MTK、TI、INFINION、NXP等等也随之更新自己的体系电源办理单元(PMU),可是,作为体系级芯片的更新,远远慢于产品功用的更新换代。关于一些要害的器材,例如射频模块的供电电源,GPS模块的PLL供电电源,关于输出纹波,PSRR(电源纹波按捺比)功用的要求很高,这些指标会直接影响手机的信号接纳灵敏度以及GPS的信号接纳灵敏度。使用PMU供电则会给工程师添加体系规划杂乱度。因而,各种LDO在手机中的使用,一直充满活力。

LDO是使用较低的作业压差,经过负反馈调整输出电压使之坚持不变的稳压器材。依据制成工艺的不同,LDO有Bipolar,BiCMOS,CMOS几种类型,功用有所差异,但跟着本钱压力的增大,CMOS LDO现在成为商场的干流。

LDO从结构上来讲是一个微型的片上反馈体系,它由电压电流调整的的功率MOSFET、肖特基二极管、取样电阻、分压电阻、过流维护、过热维护、精细基准源、放大器、和PG(Power GOOD)等功用电路在一个芯片上集成而成,图1为CMOS LDO的典型功用图。

关于手机来说,首要分红射频,基带,PMU三大功用单元。PMU尽管能够满意其间大部分供电的需求,而关于射频部分的供电,摄像头模组的供电,GPS,以及WIFI部分新增的供电需求,因为PMU自身更新的速度,以及考虑本钱、散热问题,并不能满意,需求经过额定的电源供给。SGMICRO的LDO产品自身有着极低的静态电流,极低的噪声,十分高的PSRR,以及很低的Dropout Voltage(输入输出电压差),能够大部分满意在这些使用条件下的供电要求。

在手机使用中,LDO的PSRR、输出噪声、发动时刻这几个参数直接影响手机功用的好坏,需求依据实践使用状况挑选适宜参数以及考虑布线。在挑选外围器材方面,则要留意以下七点:

1. 输出电容的挑选影响了LDO的稳定性,瞬态呼应功用,以及输出噪声Vrms的巨细

2. 输入电容的挑选影响 瞬态呼应功用, EMI和PSRR

3. 滤波电容影响了输出纹波、PSRR和瞬态呼应功用及发动时刻

4 避免电流倒灌,静态电流的巨细

5. 线路规划要考虑按捺输入电压过冲(稳压管的选用与否)

6. 布线影响散热的功率(Tdie100℃)

7. 依据体系要求挑选适宜发动时刻

图1:CMOS LDO的根本架构及简略使用线路图

LDO的以下几个参数在手机规划中特别重要:

LDO的稳定性与瞬态呼应。因为负载电流动态改变大,要求LDO的稳定性与瞬态呼应功用好,不然导致体系作业反常。

PSRR参数。PSRR参数直接影响射频模块部分地接纳灵敏度。假如用在音频部分,能够按捺手机中的EMI搅扰,使声响的表现力更好。

LDO的输出噪声。这直接关系到输出电源的洁净与否。

LDO的发动时刻。发动时刻跟体系规划的上电时序休戚相关,直接影响体系的作业与否。

LDO 引荐的PCB规划。在规划过程中,需求将输入电容Cin与输出%&&&&&%Cout尽量接近LDO。在LDO的使用中,热规划往往是一个简单忽视的当地,需求考虑不同功率状况下选用适宜的封装,常见的有三种,SC70、SOT23和DFN-6。以射频模块部分供电为例,SC70封装,自身答应散热功率通常在0.2W以内:

PD=(Vin-Vout)*Iout+Vin*Ignd 0.2W

Vin=Vbattery=3.6V以上,Vout通常是2.8V,假如电流超越250mA会导致不稳定,而SOT23的封装答应散热在0.4W左右,愈加合适该部分的使用。假如从芯片尺寸考虑,能够选用DFN封装,能够统筹散热要求(PD>0.4W)。

SG M%&&&&&%RO(圣邦微电子)作为新式的半导体供货商,也推出了一系列的LDO产品:通用LDO(三端稳压),射频LDO(PSRR能够到达73DB@1kHZ),高精度LDO(满负载0~300mA,全温度规模-40~125℃,精度1.6%)。以射频LDO SGM2007为例,输出噪声为30μVrms,输出压差为300mV(全温度规模,全负载0-300mA),静态功耗低至77μA,关断电流小于10nA,PSRR在1kHz时为73db,216.67Hz为78dB。LDO SGM2007具有过热维护和过流维护功用,发动时刻在20μS以内。

作者:吕亮

产品线司理

圣邦微电子公司

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