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CA技能推进RF元件走向高整合MIPI规划

射频前端天线开关(Switch)、低杂讯放大器(LNA)模组整合度跃升。载波聚合(CA)已成新一代LTE系统不可或缺的重要技术,而为达到同时聚合二到四组不同频段的目的,并兼顾成本、效能及元件尺寸考量,

射频前端天线开关(Switch)、低杂讯放大器(LNA)模组整合度跃升。载波聚合(CA)已成新一代LTE体系不可或缺的重要技能,而为到达一起聚合二到四组不同频段的意图,并统筹本钱、效能及元件尺度考量,高整合度且采举动工业处理器介面(MIPI)的天线开关、低杂讯放大器模组重要性已日积月累。

英飞凌射频及维护元件/电源办理及多元电子工作处协理麦正奇(右)表明,载波聚合技能的使用趋势将带动射频前端元件规划朝高整合方向跨进。左为英飞凌电源办理及多元电子工作处司理黄正宇。

英飞凌(Infineon)射频及维护元件/电源办理及多元电子工作处协理麦正奇表明,曩昔3G年代全球选用的频段数量约二十多个,现在迈入LTE年代,电信商选用的频段数量总计上看四十个,且还须统筹4G对3G体系的向下相容性,让举动通讯体系的规划更趋杂乱,因而主天线、分集天线(Diversity Antenna)、天线开关、天线调谐开关及低杂讯放大器等射频元件用量都将大幅添加。

以高阶LTE智慧型手机为例,其援助频段数量约十二到十六个,为契合一起于多频段运作的需求,该设备或许须分别由三组高/中/低频使用的主天线、三组分集天线、一到三组不等的天线开关/天线调谐开关/低杂讯放大器等元件,构成射频前端体系。

即便是中低阶智慧型手机,为了添加举动通讯体系的灵敏度及线性度,选用主天线以外的分集天线规划及添加天线开关、天线调谐开关的用量,亦已成了势不可当的潮流。

麦正奇进一步指出,除了LTE衍生出的多频多模需求导致射频元件用量添加之外,另一个值得重视的要点,便是因应LTE-A及FDD/TDD-LTE交融组网而生的载波聚合技能趋势,亦将为射频前端体系规划带来新的应战;如当天线须一起接纳二到四组不同聚合频段的LTE信号时,要怎么让开关心换到正确的对应频段,并让天线调谐器调整到最精确的匹配电路以优化天线效能,并简化杂乱的走线数量,就成了严峻的规划检测。

事实上,高整合度的射频前端计划,已成载波聚合使用趋势下的重要解方。英飞凌电源办理及多元电子工作处司理黄正宇表明,射频前端体系的装备方法 会跟着终端使用商场、本钱、电池巨细、摆放规划等考量而出现多种面貌,不过,一般高整合度的封装计划将更能契合载波聚合的需求,例如将两个天线开关封装于 同一模组内,比分离式规划计划,能够更小的尺度一起对应到两组天线,而模组内的两个天线开关则采独立运作,并一起输出两个不同聚合频段的信号至后端的数据 机模组。

另一方面,高整合的低杂讯放大器模组亦为大势所趋,如英飞凌的低杂讯放大器模组现在即能整合至多四个LTE频段,以契合载波聚合的使用需求;此 外,近来商场上首款LNA多工器模组(LNA Multiplexer Module, LMM)亦已问世,该模组整合一颗低杂讯放大器及天线开关,以更小的封装计划比美三频低杂讯放大器的效能,更放弃通用型输入输出(GPIO)介面规划,改 采MIPI介面,因而可大幅削减体系绕线数量。

黄正宇剖析,跟着载波聚合年代的降临,射频前端体系规划复 杂度随之攀升,亦将加快MIPI介面成为射频前端体系的干流。他泄漏,曩昔每个射频元件须透过三条走线以构成GPIO的操控介面,换言之,若射频前端体系 有八个天线开关,则至少须规划八组GPIO介面;而MIPI介面则只须一组走线,即可相容于一切射频元件,不只能削减I/O介面及接脚(Pin)数量,亦 让PCB绕线更简单,也因而如今许多射频元件商已加快开发MIPI介面计划,以进一步简化载波聚合射频前端体系规划杂乱度。

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