1 前语
相关规范规则，电信设备有必要可以耐受浪涌和电源故 障。经过供给长途或设备终端维护，或许两者一同施行，便 可以完成耐受性。此外，制作更牢靠经用的设备也可协作或 代替长途或设备终端维护来完成维护。
在规划电信设备的电路维护战略时，重要的是考虑整个 体系。为了下降本钱，或许会减缩维护计划的才能，可是必 须运用更牢靠的其它部件来补偿这一点。但是，在这种状况 下增强下流部件牢靠性的本钱，或许超越选用稳健性较差的 维护器所节省的本钱。有用的规划将会优化这些折衷平衡。
2 VDSL规划考虑事项
甚高速数字用户线路(ver y-high-speed digital subscriber line, VDSL)技能可以支撑高达52Mb/s的信息传输速率。规范 VDSL布置使用高达12MHz的频谱，而VDSL2答应挑选选用
图1 实验数据显现不同过电压维护装备的电容效应
图2 协同电路维护计划协助削减允通能量
高达30MHz的频谱。
VDSL的才能取决于运营商和终端客户设备之间的距 离，以及现有铜缆的条件和铜缆外面的铜基础设施。依据环 路条件，VDSL可以支撑改变的比特率和高带宽服务，比方 在电话铜缆线对上传输的HDTV节目频道。
因为VDSL设备与公用电话交换网(PSTN)的铜基础设施 衔接，使得设备或许露出于交流电力搭碰、电力线感应和雷 电浪涌引起的过电流和过电压危害。
3 下降刺进和回程损耗
跟着VDSL2的呈现，信号频率从10MHz升高到30MHz， 使得体系规划人员面对许多新的应战。最重要的问题是下降 高速使用中的刺进和回程损耗，以及削减这些损耗对有用传 输间隔和速率的影响。
用于维护体系的器材或许导致体系刺进损耗添加，因而VDSL的频谱上限和过电压维护设备的电容都是不容忽视 的问题。有见及此，TE Connectivity(TE)现已完成了VDSL应
用中低电容晶闸管和GDT的信号损耗比照实验。
图3 GDT和晶闸管在4kV电压水平下的实验成果
图1阐明电容对几种过电压维护装备的刺进损耗的影 响。图中显现低电容GDT(1pF)的刺进损耗最低，而规范50A 晶闸管(50V DC偏压时电容为15pF)和100 A微电容器材(50V DC偏压时电容为20pF)的刺进损耗略高。
该实验图中所示刺进模块由230V 3极GDT或两个270V
串联晶闸管组成，它们与两个0.3m Cat 5e双绞线对衔接。
选用装备两个North Hills的0301BB 50:100Ohm宽频带变 压器的Agilent 8753ES矢量网络分析仪进行刺进损耗测定。
变压器用于丈量100Ohm阻抗条件下(等于VDSL频谱的 线路阻抗)的模块刺进损耗。选用HP 4195低频阻抗分析仪测 定1MHz在无偏压条件下的电容。
4 施行VDSL低电容解决计划
图2电路图显现了一个有用下降电容和允通能量(energylet-through)，而且优化了电路维护计划的VDSL解决计划。
如该电路图所示，GDT1供给了一级维护(350V- 1000V)。
G DT 2 和 G DT 3 器 件 与 晶 闸 管 串 联 连 接 。 在 这 种 情 况 下，晶闸管协助下降GDT的击穿电压，而且下降浪涌时的 允通能量。经过将高电容晶闸管与低电容GDT串联来下降 整体电容。TE的PolySwitch聚合物正温度系数(PPTC)器材帮 助和谐一级维护和二级维护。
图3显现GDT-晶闸管组合在雷击时的功能体现( 4kV、 ITU K.20 10/700μS浪涌)。示波器调查显现GDT和晶闸管组 合的击穿电压是392V。值得指出的是，GDT的击穿电压是
330V，晶闸管的击穿电压是250V。在这种状况下，动态击 穿电压由GDT决议。
5 总结
GDT一般用于协助维护灵敏电信设备不受雷击和设备 开关运作引起的瞬态浪涌电压的危害。GDT放在灵敏设备 的前部和与其并联，可以充任高阻抗部件，而并不影响正常 运作的信号。因为GDT的%&&&&&%低，所以其刺进损耗低于许 多其它过电压维护技能器材。
因为GDT具有快速且精确的击穿电压特性，因而合适 用于总配线架(MDF)模块、高数据率电信使用(例如VDSL和 xDSL)以及及电力线浪涌维护等使用。当与PPTC器材和晶闸 管一同用于协同维护计划时，它们可以协助设备生产商满意 最苛刻的监管规范要求。
与任何类型的维护计划相同，解决计划的有用性取决 于个别布局、主板类型、特定部件及共同的规划考虑。大多 数电路维护器材生产商可与OEM客户一同协作，协助确认
和施行最佳维护计划。
