一、IGBT的简略介绍
绝缘栅双极型晶体管(简称“IGBT”)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器材，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器材的长处，既具有MOSFET器材驱动功率小和开关速度快的长处，又具有双极型器材饱满压下降而容量大的长处，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常作业于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的运用，在较高频率的大、中功率运用中占有了主导地位。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状况而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止，堵截PNP晶体管基极电流的供应，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET相同也是电压操控型器材，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只要在uA级的漏电流流过，基本上不耗费功率。
二、IGBT的可靠性要素
IGBT的安全可靠与否主要由以下要素决议：
1.IGBT栅极与发射极之间的电压;
2.IGBT集电极与发射极之间的电压;
3.流过IGBT集电极-发射极的电流;
4.IGBT的结温。
假如IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能安稳正常地作业，假如过高超越栅极-发射极之间的耐压则IGBT或许永久性损坏;相同，假如加在IGBT集电极与发射极答应的电压超越集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超越集电极-发射极答应的最大电流，IGBT的结温超越其结温的答应值，IGBT都或许会永久性损坏。
三、IGBT的检测办法
1.判别极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其它南北极阻值为无穷大，互换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无穷大，则判别此极为栅极(G )其他南北极再用万用表丈量，若测得阻值为无穷大，互换表笔后丈量阻值较小。在丈量阻值较小的一次中，则判别红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2.判别好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此刻万用表的指针在零位。用手指一起触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一方位。然后再用手指一起触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此刻即可判别IGBT 是好的。
总归，任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.留意判别IGBT 好坏时，必定要将万用 表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判别IGBT 的好坏。此办法相同也能够用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
四、IGBT的运用留意事项
因为IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极完成电阻隔。因为此氧化膜很薄，其击穿电压一般到达20~30V.因而因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因而运用中要留意以下几点：
1.在运用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必需要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;在用导电资料衔接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板杰出接地的情况下操作。
2.在运用中有时尽管确保了栅极驱动电压没有超越栅极最大额外电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振动电压。为此，一般选用双绞线来传送驱动信号，以削减寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也能够按捺振动电压。
3.在栅极-发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则跟着集电极电位的改变，因为集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，假如集电极与发射极间存在高电压，则有或许使IGBT发热及至损坏。
总归，在运用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状况)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为避免此类毛病，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在装置或替换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的触摸面状况和拧紧程度。为了削减触摸热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂改导热硅脂。一般散热片底部装置有散热电扇，当散热电扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而产生毛病。因而对散热电扇应定时进行检查，一般在散热片上接近IGBT模块的当地装置有温度感应器，当温度过高时将报警或中止IGBT模块作业。
