来自北京清华大学的研讨人员开宣布一种新技能，宣称能让MARM的贮存速度与功耗大幅改进;这种电子开关(electrical switching)技能写入位元所需的动力较少。
上述新技能的基本概念，是将磁域开关「部分」开关、而非彻底转化其磁场方向;北京清大的研讨人员表明，这种办法仍能让MARM贮存二进制位元，但所需的开关速度却快得多，所消耗的动力量也是会比一般情况少许多。
传统MRAM是使用磁场来开关位元单元，使得这种存储器的密度不如快闪存储器;不久前，一个日本研讨团队也宣布了使用电子开关办法履行笔直写入，让MRAM贮存密度可获得大幅提高、乃至可超越快闪存储器的办法。北京清大的研讨团队则宣称，以电子办法开关的MRAM，在速度与功耗方面都优于现在的磁性开关元件。
不同于磁性开关的MRAM位元单元需求较杂乱的多层仓库(multilayered stack)，北京清大研讨人员所制造的电子开关MRAM位元单元，仅只使用了两层不同的铁电薄膜。透过将该双层架构的条纹状磁区间的障壁打散，会发生一种影响其磁性的电子信号;这会让该架构转化成单一磁区，其薄膜的电阻率也被改动到刚好侦测得到。
北京清大的研讨人员证明，在他们的MRAM位元单元供给一个电压，能让磁区障壁呈现或是消失，用以贮存信息。现在该团队正在加强透过让磁区障壁呈现或消失所引起的电阻率改动，以最佳化其资料仓库、希望可进行商业化。
