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产品概况
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关,选用无引脚、表贴封装。该开关十分合适高功率和蜂窝基础设施使用,如长时间演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm(典型值)高功率处理才能、0.6 dB低插入损耗、68 dBm(典型值)输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB紧缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下作业,典型偏置电流为1 mA,使其成为根据引脚二极管开关的抱负代替器材。
该器材选用契合RoHS规范的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。
使用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性使用
- 测验设备
- 引脚二极管代替器材
优势和特色
- 反射式50 Ω规划
- 低插入损耗:0.6 dB(典型值,2 GHz)
- 高隔离度:50 dB(典型值,2 GHz)
- 高功率处理
- 接连平均功率:43 dBm
- 峰值功率:46.5 dBm
- 高线性度
- 0.1 dB紧缩(P0.1dB):>46 dBm(典型值)
- 输出三阶交调截点(IP3):68 dBm(典型值,2 GHz)
- ESD额定值
- 人体模型(HBM):2 kV,2级
- 充电器材模型(CDM):待定
- 单正电源
- VDD:5 V
- 正操控,TTL兼容
- VCTL: 0 V 或 5 V
- 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm2)
ADRF5130电路图
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ADRF5130下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/adrf5130.pdf