场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两品种型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
与双极型晶体管比较，场效应管具有如下特色
（1）场效应管是电压操控器材，它经过VGS（栅源电压）来操控ID（漏极电流）；
（2）场效应管的操控输入端电流极小，因而它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是运用大都载流子导电，因而它的温度稳定性较好；
（4）它组成的扩大电路的电压扩大系数要小于三极管组成扩大电路的电压扩大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）因为它不存在凌乱运动的电子分散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管作业原理
用一句话说，便是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结构成的反偏的栅极电压操控ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的改变，发生耗尽层扩展改变操控的原因。在VGS=0的非饱满区域，表明的过渡层的扩展因为不很大，依据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID活动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成阻塞型，ID饱满。将这种状况称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挠，并不是电流被堵截。
用通俗易懂的话让你理解场效应管—便是一个电控开关！
场效应管在mpn中，它的长相和咱们前面讲的三极管极像，一致的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC通通称作“三个脚的管管”。
场效应管符号：
表明，关于它的结构原理因为比较笼统，咱们是通俗化讲它的运用，所以不去多讲，因为依据运用的场合要求不同做出来的品种繁复，特性也都不尽相同;咱们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关运用，所以需求经过电流比较大，所以是运用的比较特别的一种制作办法做出来了增强型的场效应管（MOS型），它的电路图符号：
仔细看看你会发现，这两个图好像有不同，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电操控的开关，那么咱们就先讲一下怎样运用它来当开关的，从图中咱们能够看到它也像三极管相同有三个脚，这三个脚别离叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D），mpn中的贴片元件示意图是这个姿态：
1脚便是栅极，这个栅极便是操控极，在栅极加上电压和不加上电压来操控2脚和3脚的相通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位），去掉电压（低电位）就相通了！
