IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而规划的栅极驱动器,它选用高压集成电路技能和无闩锁CMOS技能,并选用双直插式封装,可用于作业母线电压高达600V的体系中。其输入与规范的CMOS电平兼容,输出驱动特性可满意穿插导通时刻最短的大电流驱动输出级的规划要求。其悬浮通道与自举技能的运用使其可直接用来驱动一个作业于母线电压高达600V的、在高边或低端作业的N沟道MOSFET或IGBT。
1 引脚摆放及功用
IR2117选用规范的双列直插式DIR-8或小型双列扁平外表装置SOIC-8封装方法,这两种封装方法的引脚摆放相同,其引脚摆放如图1所示,各引脚的称号、功用和用法如表1所列。
表1 IR2117的引脚阐明
| 引脚号 | 符号 | 名 称 | 功用及用法 |
| 1 | Vcc | 输入级作业电源端 | 供电电源,抗干扰,该端应接一去耦网络到地 |
| 2 | IN | 操控脉冲输入端 | 直接按操控脉冲构成电路的输出 |
| 3 | COM | 输入级地端及Vcc参阅地端 | 接供电电源Vcc地 |
| 4,5 | NC | 空脚 | 悬空 |
| 6 | Vs | 输出级参阅地端 | 接被驱动的MOSFET源极或IGBT射极及负载端 |
| 7 | HO | 驱动脉冲输出端 | 经过一电阻接被驱动的MOSFET或IGBY的栅极 |
| 8 | VB | 输出级作业电源端（高边悬浮电源端） | 当VB与Vcc运用独立电源时,接用户供给的电源,此刻VB的参阅地为VS而Vcc的参阅地为COM。在两电源之间,电位应阻隔。当VB与Vcc使用自举技能发生时,此端别离经过一电容及二极管接VS及Vcc |
2 内部结构及作业原理
IR2117的内部结构及作业原理框图如图2所示。它在内部集成有一个施密特触发器,一个脉冲增益电路,两个欠压检测及维护电路,一个电平移位网络,一个与非门,一个由两个MOSFET组成的互补功放输出级、一个RS触发器以及一个脉冲滤波器共九个单元电路。
正常作业时,若IR2127的逻辑电源部分及输出电源部分不欠压,则来自用户操控脉冲构成单元的信号先由施密特触发器整形,再经脉冲增益环节扩大后,由电平移位网络进行电平移位与匹配,再经RS触发器触发后由互补推挽输出级输出驱动外接的MOSFET或IGBT。一旦输入逻辑部分电源或输出功放级悬浮电源中有一个呈现欠压,则两部分中将有一个输出信号被封闭而使输出驱动脉冲变为低电平。
3 首要规划特色和参数
3.1 首要规划特色
IR2117在规划上很有特色,现述如下：
（1）选用悬浮通道规划,内部自举作业可用来驱动从低压到600V作业母线电压中的MOSFET或IGBT;
（2）对负的瞬态电压上升率无限制;
（3）栅极驱动电压规模宽达10～20V;
（4）选用CMOS施密特触发器输入及推挽功放输出方法;
（5）具有欠压封闭功用;
（6）输出与输入同相。
3.2 极限参数
下面是IR2117的极限参数：
（1）高边悬浮电源电压VB：-0.3～625V;
（2）高边悬浮电源参阅电压Vs：VB-25～VB+0.3V;
（3）高边悬浮输出电压VHO：Vs-0.3～VB+0.3V;
（4）逻辑输入部分作业电源电压Vcc：-0.3～25V;
（5）逻辑输入电压VIN：-0.3～Vcc+0.3V;
（6）答应的参阅电源电压上升率dVs/dt：50000V/μs;
（7）功耗：SOIC封装的功耗为0.625W;DIP封装的功耗为1W;
（8）答应最高作业结温Tj：150℃;
（9）存贮温度Tstg：-55～150℃;
（10）焊接温度（焊接时刻10s）TL：300℃;
3.3 引荐作业条件
IR2117的引荐作业参数如下：
（1）高边悬浮电源电压绝对值VB：Vs+10～Vs+20V;
（2）高边悬浮电源参阅电压Vs：600V;
（3）高边悬浮输出电压VHO：Vs～VB;
（4）逻辑电源电压Vcc：10～20V;
（5）逻辑输入电压规模VIN：0～Vcc;
（6）作业环境温度TA：-40～125℃。
