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IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器:TLP155E

本站为您提供的IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器:TLP155E,TLP155E是一款SO6封装IC耦合器,能够直接驱动一个小容量IGBT或功率MOSFET。

  TLP155E是一款SO6封装IC耦合器,可以直接驱动一个小容量IGBT或功率MOSFET。确保传输延时为200 ns(最大值),可以经过高速脉宽调制(PWM)驱动IGBT/功率MOSFET。这款产品的确保传输推迟误差为85 ns(最大值),有助于缩短死区时刻,并进步变频器、PDP坚持电路等的功率。TLP155E选用小型SO6封装,因而其装置面积比现有类型TLP705(SDIP6)小30%左右,一起契合世界安全规范的强化绝缘等级。本产品可用于各种产品,包含工业设备、数字家用电器、丈量设备和操控设备。

  


小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器产品相片: TLP155E.

 

  特征

  传输延时: tpLH,tpHL=200ns(最大值)

  传输延时改变: |tpLH,tpHL|=50ns(最大值)

  传输推迟误差: tpsk=85ns(最大值)

  图腾柱输出

  最高输出电流: IOP=±0.6A

  输入电流: IFLH=7.5mA(最大值)

  耐压: BVs=3750Vrms

  使用

  PDP

  通用变频器

  MOSFET/IGBT栅极驱动器

  变频空调

  概括图

  


小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器概括阐明图: TLP155E.

 

  电路实例

  PDP坚持电路

  


小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器电路实例阐明图: TLP155E.

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