肖特基二极管的内部结构
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体触摸构成的势垒层为根底制成的二极管如图 1所示，其主要特点是正导游通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器材。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大差异，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等资料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除资料、N-外延层（砷资料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图1所示。在N型基片和阳极金属之间构成肖特基势垒。当在肖特基势垒两头加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两头加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。现在使用在功率改换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，均匀电流在100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖特基二极管使用在高频低压电路中，是比较抱负的。
肖特基二极管结构和内电路
1．肖特基二极管结构
图13-3是肖特基二极管内部结构示意图。肖特基二极管具有更低的串联电阻和更强的非线性，适合于在射频电路中使用。
某些金属和N型半导体资料触摸后，电子会从N型半导体资猜中分散进入金属从而在半导体资猜中构成一个耗尽层，具有和惯例PN结相似的特牲，这种由金属和半导体资料触摸构成相似PN结势垒的结构称为肖特基结。
当在肖特基势垒两头加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小。如果在肖特基势垒两头加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大，如图13-4所示。
2．肖特基二极管内电路
引线式肖特基对管又有共阳（两管的正极相连）、共阴（两管的负极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）3种引脚引出方法。JRC2352图13-5是引线式肖特基对管内电路结构示意图。
贴片式肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装方式，且内电路详细方式多达10余种。图13-6所示是多种贴片式肖特基二极管内电路。
