S3C2410处理器与存储器的相关常识

1、S3C2410的存储空间与发动方法

— Address space: 128Mbytes per bank (total 1GB/8 banks)
— Programmable access size (8/16/32-bit) for all banks except bank0 (16/32-bit)
— Total 8 memory banks
Six memory banks for ROM, SRAM, etc.
Remaining two memory banks for ROM, SRAM, SDRAM, etc .
— Seven fixed memory bank start address
— Adjustable start address for the last bank.
— Programmable bank size for the last two banks.
— Programmable access cycles for all memory banks
S3C2410A Memory Map after Reset

Bank 6/7 Addresses

发动方法:
S3C2410有3种发动方法，能够经过OM[1:0]管脚进行挑选：
◆OM[1:0]=00时处理器从NAND Flash发动。
◆OM[1:0]=01是处理器从16位宽的ROM发动。
◆OM[1:0]=10是处理器从32位宽的ROM发动。
假如体系设置成为从NAND Flash中发动，发动时处理器会主动将NAND Flash中的前4KB代码内容加载到片内的steppingstone SRAM中，然后体系从SRAM中读取代码履行。之后SRAM中的引导程序应该要完结将代码从FLASH中加载到SDRAM的作业。发动完结后4KB的SRAM能够用于其他用处。假如是用其他方法发动，ROM有必要定位在0x00000000的方位上，而4KB的发动SRAM被放置于0x40000000处。被映射到nGCS0片选的空间上的存储器便是发动存储器。
从nand flash 发动：①、cpu主动将nand flash开端的4kB数据复制到称为“steppingstone”的
4KB内部ram（sram）中。
　　　　　　　②、指针主动跳转到0x00000000地址处开端履行代码。
　　　　　　　　　这都由cpu内部硬件主动完结
因而，咱们能够在nand flash前4kb中贮存相应的发动代码，即可完成外部SDRAM等外设的初始化。

2、扩展不同存储器时，硬件接口规划的异同