集成运放电路规划原理图
一、集成电路及其特色
集成电路是运用氧化，光刻，分散，外延，蒸铝等集成工艺，把晶体管，电阻，导线等会集制作在一小块半导体(硅)基片上，构成一个完好的电路。按功用可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类，其间集成电路运算扩大器(线性集成电路，以下简称集成运放)是模拟集成电路中运用最广泛的，它实质上是一个高增益的直接耦合多级扩大电路。
集成电路的特色
1. 单个元件精度不高，受温度影响也大，但元器件的性能参数比较共同，对称性好。适合于组成差动电路。
2. 阻值太高或太低的电阻不易制作，在集成电路中管子用得多而电阻用得少。
3. 大电容和电感不易制作，多级扩大电路都用直接耦合。
4. 在集成电路中，为了不使工艺杂乱，尽量选用单一类型的管子，元件品种也要少所以，集成电路在形式上和分立元件电路比较有很大的不同和特色。常用二极管和三极管组成的恒流源和电流源替代大的集电极电阻和供给细小的偏量电流，二极管用三极管的发射结替代
5. 在集成电路中，NPN管都做成纵向管，β大;PNP管都做成横向管，β小而PN结耐压高。NPN管和PNP管无法配对运用。对PNP管，β和(β+1)不同大，IB往往不能疏忽。
二、集成运放电路的组成及各部分的效果
1. 组成
2. 效果
如图所示，集成运放电路由四部分组成，输入级是一个双端输入的高性能差动扩大电阻，要求其Ri高，Aod大，KCMR大，静态电流小，该级的好坏直接影响集成运放的大多数性能参数，所以更新改变最多。中间级的效果是使集成运放具有较强的扩大才能，故多选用复合管做扩大管，以电流源做集电极负载。输出级要求具有线性规模宽，输出电阻小，非线性失真小等特色。偏置电路用于设置集成运放各级扩大电路的静态作业点
三、集成运放的电压传输特性
1.符号
同相输入端标明输入电压与输出电压相位相同，若uP >0，则uO >0;uP
反相输入端标明输入电压与输出电压相位相反，若uN >0，则uO 0.
2.电压的传输特性
所谓电压传输特性，实际上是一种联系曲线如图4-3，即输出电压uo和输入电压ui之间的联系曲线。联系曲线明显地为两个区域，线性扩大区和饱满区，斜线反映了线性扩大区输入与输出之间的联系。斜率便是电压扩大倍数Av=uo/ui，输出与输入幅值(或有效值)之比，两头水平线是饱满区的现象，标明输出电压uo不随输入ui =uP – uN 而变，而是安稳值+Uom(或-Uom)，由特性曲线还看出线性区十分窄，这是因为差模开环扩大倍数Aod十分高，可达几十万倍，只有当ui =|uP – uN |
四、集成运放中的电流源电路
1.镜像电流源(图4-5.4)
1 组成
由三极管T2和接成二极管T1的组成，发射结并联，即UBE1 = UBE2
2 作业原理
IC2 = IR /(1+2/β) (4-1)
假如β>>2，则
IC2 ≈ IR = (VCC-UBE)/R (4-2)
3 问题
c)对温度漂移没有抑制效果 d)输出电阻不够大 RO =rce2
2.威尔逊电流源(图4-7.5)
1 组成
在镜像电流源基础上加了T3
2 作业原理
(4-3)
其间
IR =(VCC-UBE3-UBE2)/R (4-3)
3 特色和问题
恒流输入管T3的Re3 ≈rbe /2，使它的IC3安稳性大为进步，IC3与IR之间的差错也大大减小。但电源电压改变时，IC3和IR简直按相同份额改变。要求 为uA级时，R依然太大。
3.微电流源(图4-9. 6)
1 组成
在镜像电流源T2管的发射极上加接电阻Re 。
2 作业原理
3 特色
小而稳。用不大的Re就能够使IC2为uA级。因为引进Re, IC2愈加安稳。因为UBE2
4.多路电流源
用同一个参数电流IR ，一起发生几个输出电流，给多个扩大管供给偏置电流或作为有源负载。
5.电流源的运用
1 为集成运放各级供给小而稳的偏置电流
2 作为各扩大级的有源负载,进步电压增益。
长处：(a)用三极管替代大电阻，节约硅片面积，降低成本。
(b)用较少的级数可获得很高的增益，因为级数少和电路输出阻抗大，集成运放的消振问题简单处理
(c)因为扩大管集电极电流与集电极电位无关，电路能够在很宽的电源电压规模内作业而偏置电流根本不变。
