电路的功用
用于大功率的MOSFET功率放大器，其转化速度比单级晶体管快，适合在高频条件下作业。本电路使用了决议转化速度的鼓励器，并且还在输出级选用了MOSFET，使高频特性得以改进。输出功率取决于电源电压和负载。本电路能接连输出100~150W并能接受负载短路。
电路作业原理
根本电路组成与限流维护电路的100W功率放大器相同，第二差动级是输出用的功率MOSFET，2SJ77，电流密勒电路使用了2SK214。尽管作业电流只要6MA，可是，由于电源电压高达正负50V，晶体管会发热，所以安装了小型散热片。
输出级选用直接驱动方法，由于不经射极输出器缓冲，驱动电路的负载就加剧了，假如转化速度需求进步，能够TT5-6的答应损耗范围内尽量加大漏级偏置电流。
功率MOSFET常常发生高频振动，要按捺振动比较困难，简略的办法是在栅极串联电阻★标志的RO，但这要献身一些高频特性，RO的阻值随所用元件而异，通常在50~500欧之间。
与单极晶体管比较，输出电路的电压损耗很大，电源电压应有所进步。出于输出电路的损耗电压取决于功率MOSFET的通态电阻，在大电流条件下作业，这个问题是不行忽视的，所以选用了多管并联的方法加以解决。
元件的选用
由于FET的VOB~ID特性一致性较差，所以TT5和TT6、TT7和TT8、TT12和TT13、TT14和TT15应尽量选用传输特性不同的产品，偶数高效谐波就会增多。
电路中即便没有源极电阻R2A~R31也能作业，可是该电路如用作电流检测并使用色码绕线电阻，其电感成分不容疏忽，这时不宜在高频条件下作业。
调整
榜首差动的作业电流可用输入级的置偏电流来调整，若下降R7，电流就会增大，转化速度也可加速，假如R1级等于R11，失调电压就会减小，要彻底调零，必须在TT1.2的射极电路中加可变电阻。
输出级的偏流由VR1调整，每个输出晶体管的漏极电流平均为100MA左右。
