本文首要是关于13001和13003的相关介绍，并侧重对13001和13003的管脚进行了翔实的论述。
三极管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种操控电流的半导体器材其效果是把弱小信号扩大成起伏值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管是半导体根本元器材之一，具有电流扩大效果，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分红三部分，中心部分是基区，两边部分是发射区和集电区，摆放方法有PNP和NPN两种。
作业原理
理论原理
晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构方法，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中参加磷替代一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而P是正极的意思（PosiTIve）是参加硼替代硅，发生很多空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其作业原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流扩大原理。
关于NPN管，它是由2块N型半导体中心夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间构成的PN结称为发射结，而集电区与基区构成的PN结称为集电结，三条引线别离称为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电极c （Collector）。如右图所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状况，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状况，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制作三极管时，有意识地使发射区的大都载流子浓度大于基区的，一起基区做得很薄，并且，要严厉操控杂质含量，这样，一旦接通电源后，因为发射结正偏，发射区的大都载流子（电子）及基区的大都载流子（空穴）很容易地跳过发射结互相向对方分散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流根本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
因为基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分跳过集电结进入集电区而构成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb从头补给，然后构成了基极电流Ibo.依据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这便是说，在基极弥补一个很小的Ib，就能够在集电极上得到一个较大的Ic，这便是所谓电流扩大效果，Ic与Ib是保持必定的份额联系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1–称为直流扩大倍数，
集电极电流的改变量△Ic与基极电流的改变量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β–称为沟通电流扩大倍数，因为低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了便利起见，对两者不作严厉区别，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie（Ic与Ie是直流通路中的电流巨细）
式中：α1也称为直流扩大倍数，一般在共基极组态扩大电路中运用，描绘了射极电流与集电极电流的联系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为沟通共基极电流扩大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
关于两个描绘电流联系的扩大倍数有以下联系
三极管的电流扩大效果实际上是使用基极电流的细小改变去操控集电极电流的巨大改变。 ［2］
三极管是一种电流扩大器件，但在实际运用中常常通过电阻将三极管的电流扩大效果转变为电压扩大效果。
扩大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub通过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的大都载流子（自由电子）不断地跳过发射结进入基区，构成发射极电流Ie。一起基区大都载流子也向发射区别散，但因为大都载流子浓度远低于发射区载流子浓度，能够不考虑这个电流，因而能够以为发射结首要是电子流。
2、基区中电子的分散与复合
电子进入基区后，先在接近发射结的邻近密布，逐渐构成电子浓度差，在浓度差的效果下，促进电子流在基区中向集电结分散，被集电结电场拉入集电区构成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，分散的电子流与复合电子流之份额决议了三极管的扩大才能。
3、集电区搜集电子
因为集电结外加反向电压很大，这个反向电压发生的电场力将阻挠集电区电子向基区别散，一起将分散到集电结邻近的电子拉入集电区然后构成集电极主电流Icn。别的集电区的少量载流子（空穴）也会发生漂移运动，流向基区构成反向饱和电流，用Icbo来表明，其数值很小，但对温度却反常灵敏。
产品分类
a.按原料分： 硅管、锗管
b.按结构分： NPN 、 PNP。如图所示。
c.按功用分： 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管
e.按作业频率分：低频管、高频管、超频管
f.按结构工艺分：合金管、平面管
g.按装置方法：插件三极管、贴片三极管
13001
三极管13001是小功率电子镇流器，节能灯里常用的三极管，高频高耐压，三极管13001首要品牌厂商为广州半导体和国邦，近期该类型出售状况较好，商家报价活泼。
根本参数：
修改
Vcbo=500V；
Vceo=400V；
Vebo=9V；
Icm=1.5A；
Pcm=900mW，能够挑选不小于以上数值的三极管代用。
13003
MJE13003三极管是首要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，选用TO-126封装，MJE13003三极管的外形和管脚摆放如下：
MJE13003三极管首要参数
集电极-基极电压VCBO 700 V
集电极-发射极电压VCEO 400 V
发射极-基极电压VEBO 9V
集电极电流IC 2.0 A
集电极耗散功率PC 40 W
最高作业温度Tj 150 °C
储存温度Tstg -65-150 °C
集电极-基极截止电流ICBO （VCB=700V） 100 μA
集电极-发射极截止电流ICEO （VCE=400V，IB=0） 250 μA
集电极-发射极电压VCEO （IC=10mA，IB=0） 400 V
发射极 -基极电压VEBO （IE=1mA，IC=0） 9 V
直流电流扩大倍数5~40
结语
关于13001和13003的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎纠正。
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