MOSFET和三极管，在ON 状况时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱满Vce。那么是否存在能够反过来的状况，三极管用饱满Rce，而MOSFET用饱满Vds呢？
三极管ON状况时作业于饱满区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决议，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能坚持稳定，因而Ice就不能简略的仅 由Vce来决议，即不能选用饱满Rce来表明（因Rce会改变）。由于饱满状况下Vce较小，所以三极管一般用饱满Vce表明。
MOS管在ON状况时作业于线性区（相当于三极管的饱满区），与三极管类似，电流Ids由Vgs和Vds决议，但MOS管的驱动电压Vgs一般可坚持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的状况下，导通阻抗Rds根本坚持不变，所以MOS管选用Rds方法。
电流能够双向流过 MOSFET的D和S ，正是MOSFET这个杰出的长处，让同步整流中没有DCM的概念，能量能够从输入传递到输出，也能够从输出返还给输入。能完成能量双向活动。
接下来咱们往深化一点来进行评论，第一点、MOS的D和S已然能够交换，那为什么又界说DS呢？
关于IC内部的MOS管，制作时肯定是彻底对称的，界说D和S的意图是为了评论电流流向和核算的时分便利。
第二点、已然界说D和S，它们到底有何差异呢？
关于功率MOS，有时分会由于特其他使用，比方耐压或许其他意图，在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压，此刻D，S会有不同。
第三点、D和S交换之后，MOS表现出来的特性，跟本来有何不同呢？比方Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。
DS交换后，当Vgs=0时，只需Vds》0.7V管子也能够导通，而换之前不能。当Vgs》Vth时，反型层沟道已构成，交换后两者特性相同。
D和S的确认
咱们仅仅说电流能够从D–to–S ，也能够从S—-to—D。可是并不意味着：D和S 这两个端子的姓名能够交换。
DS沟道的宽度是靠GS电压操控的。当G固定了，谁是S就仅有确认了。
假如将上面确认为S端的，认为是D。
将本来是D的认为是S ，而且给G和这个S施加电压，成果沟道并不改变，仍然是封闭的。
当Vgs没有抵达Vth之前，经过驱动电阻R对Cgs充电，这个阶段的模型便是简略的RC充电进程。
当Vgs充到Vth之后，DS导电沟道开端敞开，Vd开端剧烈下降。依照I=C*dV/dt ，寄生电容Cgd有电流流过 方向：G –》D 。依照G接点KCL Igd电流将分流IR，大部分驱动电流转向Igd，留下小部分持续流到Cgs。因而，Vgs呈现较平整改变的一小段。这便是miler渠道。
