场效应管和三极管差异

　　什么是场效应管

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIon FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。

　　场效应管（FET）是运用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材，并以此命名。

　　因为它仅靠半导体中的大都载流子导电，又称单极型晶体管。

　　场效应管与双极型晶体管比较，场效应管具有如下特色。

　　（1）场效应管是电压操控器材，它经过VGS（栅源电压）来操控ID（漏极电流）；

　　（2）场效应管的操控输入端电流极小，因而它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是运用大都载流子导电，因而它的温度稳定性较好；

　　（4）它组成的扩大电路的电压扩大系数要小于三极管组成扩大电路的电压扩大系数；

　　（5）场效应管的抗辐射能力强；

　　（6）因为它不存在凌乱运动的电子分散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　什么是三极管

　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种操控电流的半导体器材其效果是把弱小信号扩大成起伏值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体根本元器材之一，具有电流扩大效果，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分红三部分，中心部分是基区，两边部分是发射区和集电区，摆放方法有PNP和NPN两种。

　　作业原理

　　晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构方式，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N是负极的意思（代表英文中NegaTIve），N型半导体在高纯度硅中参加磷代替一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而P是正极的意思（PosiTIve）是参加硼代替硅，发生很多空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其作业原理都是相同的。