您的位置 首页 技术

旁路电容是什么意思?电容充放电时刻该怎么核算?

本站为您提供的旁路电容是什么意思?电容充放电时间该如何计算?,一般设计的板子上IC 的每个电源管脚附近都会放置一个电容作去耦电容,以减小电源阻抗??那么此IC的某些高速信号是否会把此电容作为高频电流的旁路电容呢?

  旁路电容是什么意思?

  旁路电容

  可将混有高频电流和低频电流的沟通电中的高频成分旁路掉的电容,称做“旁路电容”。 关于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除目标,把前级带着的高频杂波滤除,而去耦(decoupling,也称退耦)电容是把输出信号的搅扰作为滤除目标。

  界说

  可将混有高频电流和低频电流的沟通信号中的高频成分旁路滤掉的电容,称做“旁路电容”。

  例如当混有高频和低频的信号经过扩大器被扩大时,要求经过某一级时只允许低频信号输入到下一级,而不需求高频信号进入,则在该级的输入端加一个恰当巨细的接地电容,使较高频率的信号很简单经过此电容被旁路掉(这是因为电容对高频阻抗小),而低频信号因为电容对它的阻抗较大而被输送到下一级扩大

一般规划的板子上IC 的每个电源管脚邻近都会放置一个电容作去耦电容,以减小电源阻抗??那么此IC的某些高速信号是否会把此电容作为高频电流的旁路电容呢?

  关于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除目标,把前级带着的高频杂波滤除,而去耦(decoupling,也称退耦)电容是把输出信号的搅扰作为滤除目标。

  电源去耦电容电路有两个效果

  一方面是集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器材的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的散布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的散布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也便是说,关于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起效果。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不必电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要运用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严厉,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。

  旁路电容和去耦电容的差异和效果

  旁路电容不是理论概念,而是一个常常运用的有用办法,电子管或许晶体管是需求偏置的,便是决议作业点的直流供电条件。例如电子管的栅极相关于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下作业,就在阴极对地串接一个电阻,使用板流构成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技能叫做“自偏”,可是对(沟通)信号而言,这一起又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容。 一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号经过较好,而对高频信号,表现出较强的电理性,阻抗较大,一起,大电容还能够起到部分电荷池的效果,能够削减部分的搅扰经过电源耦合出去;容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,能够为高频搅扰信号供给一条旁路,削减外界对该部分的耦合搅扰 旁路是把前级或电源带着的高频杂波或信号滤除;去藕是为保正输出端的安稳输出(首要是针对器材的作业)而设的“小水塘”,在其他大电流作业时确保电源的动摇规模不会影响该电路的作业;弥补一点便是所谓的藕合:是在前后级间传递信号而不相互影响各级静态作业点的元件 有源器材在开关时发生的高频开关噪声将沿着电源线传达。去耦电容的首要功能便是供给一个部分的直流电源给有源器材,以削减开关噪声在板上的传达和将噪声引导到地。 从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。假如负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才干完结信号的跳变,在上升沿比较峻峭的时分,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,因为电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会发生反弹),这种电流相关于正常状况来说实践上便是一种噪声,会影响前级的正常作业。这便是耦合。 去耦电容便是起到一个电池的效果,满意驱动电路电流的改变,防止相互间的耦合搅扰。 旁路电容实践也是去耦合的,仅仅旁路电容一般是指高频旁路,也便是给高频的开关噪声进步一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或许更大,根据电路中散布参数,以及驱动电流的改变巨细来确认。

  一般规划的板子上IC 的每个电源管脚邻近都会放置一个电容作去耦电容,以减小电源阻抗??那么此IC的某些高速信号是否会把此电容作为高频电流的旁路电容呢?

一般规划的板子上IC 的每个电源管脚邻近都会放置一个电容作去耦电容,以减小电源阻抗??那么此IC的某些高速信号是否会把此电容作为高频电流的旁路电容呢?

     去耦电容和旁路电容没有实质的差异,电源体系的电容原本就有多种用处,从为去除电源的耦合噪声搅扰的视点看,咱们能够把电容称为去耦电容(Decoupling),假如从为高频信号供给沟通回路的视点考虑,咱们能够称为旁路电容(By-pass)。而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路规划里。电源管脚邻近的电容首要是为了供给瞬间电流,确保电源/地的安稳,当然,关于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比方关于CMOS电路结构,在0-》1的跳变信号传达时,回流首要从电源管脚流回,假如信号是以地平面作为参阅层的话,在电源管脚的邻近需求经过这个电容流入电源管脚。所以关于PDS(电源散布体系)的电容来说,称为去耦和旁路都没有联系,只需咱们心中了解它们的真实效果就行了。

  电容充放电时刻的核算:

  设,V0 为电容上的初始电压值;

  V1 为电容终究可充到或放到的电压值;

  Vt 为t时刻电容上的电压值。

  则,

  Vt=“V0”+(V1-V0)* [1-exp(-t/RC)]

  或,

  t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]

  例如,电压为E的电池经过R向初值为0的电容C充电

  V0=0,V1=E,故充到t时刻电容上的电压为:

  Vt=“E”*[1-exp(-t/RC)]

  再如,初始电压为E的电容C经过R放电

  V0=E,V1=0,故放到t时刻电容上的电压为:

  Vt=“E”*exp(-t/RC)

  又如,初值为1/3Vcc的电容C经过R充电,充电终值为

  Vcc,问充到2/3Vcc需求的时刻是多少?

  V0=Vcc/3,V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3,故

  t=“RC”*Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC*Ln2

  =0.693RC

  注:以上exp()表明以e为底的指数函数;Ln()是e为底的对数函

  数

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/xinpin/jishu/84854.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部