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I-V丈量技能的开展

与直流电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量一样,超快I-V测量[1]能力对于特征分析实验室中所有负责开发新材料、器件[2]或工艺的所有技

与直流电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)丈量相同,超快I-V丈量[1]才能关于特征剖析实验室中一切担任开发新材料、器材[2]或工艺的一切技能人员正变得越来越必要。进行超快I-V丈量需求发生高速脉冲波形[3]并在待测器材发生松懈之前丈量发生的信号。

高速I-V测验的前期完成办法(一般称之为脉冲式I-V测验体系)是针对比如高k介质和绝缘体上硅(SOI)恒温测验[4],或发生闪存器材特征剖析所必需的短脉冲之类的使用而开发的。脉冲式I-V丈量技能是十分必要的,这是因为当选用传统直流I-V测验办法时,它们的绝缘衬底使得SOI器材保留了测验信号本身发生的热量,使测得的特征参数发生偏移;而选用脉冲式测验信号可以最大极限削减这种影响。

曩昔,高速脉冲/丈量测验体系一般由脉冲发生器、多通道示波器[5]、互连硬件和担任集成并操控仪器的软件构成。不幸的是,这些体系受推迟的影响,信号源和丈量功用之间的协同非常复杂。依据仪器的质量及其集成的状况,这种办法在发生的脉冲宽度及其占空比方面还有局限性。即时不论这些局限性,这些前期脉冲式I-V测验体系的用户已开端寻求将其用于各种其它特征剖析使命,包含非易失性存储器测验、超快NBTI[6]可靠性测验和许多其它使用。可是,因为这些体系动态量程有限,它们依然保留了一些特别的技能。

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