计划一：低本钱、多功用、低分辨率显现计划
该计划选用性价比最高的A3P030和SRAM来完成，不只本钱低，而且灵敏性十分大，完成的功用丰厚，因为选用性价比较高的SRAM,容量有限，适合于低分辨率的TFT屏显现。
功用特色：
1、选用Microsemi小容量的A3P030以及SRAM(IS61LV25616AL)来完成，具有本钱低的特色
2、接口十分灵敏，依据不同的需求能够定制Intel并行总线接口、SPI接口等
3、并行总线接口的速度最高可达25MHz左右，相当于480×272分辨率的TFT在1秒钟内能够更新191副图片;SPI的时钟速度相同能够到达25MHz以上的速度
4、支撑双缓存的操作，两个缓存都可进行读写的操作
5、支撑双缓存间数据复制功用，两缓存间能够进行DMA的数据复制
6、支撑定点和区域更新内容
7、支撑16位色480×272以及以下分辨率的TFT显现屏，刷新率在60Hz以上
8、支撑前景色和背景色设置的功用
9、显现数据来源于MCU,数据能够寄存于外部的串行或并行的Flash,能够寄存图片、汉字库等，容量巨细由用户自行操控
10、配套供给的MCU GUI库能够完成画点、画线、画圆、画矩形等功用
计划二：低本钱、高功用、高分辨率显现计划
该计划选用A3P060和SDRAM的方法完成，相同本钱低，因为Microsemi资源较为丰厚，而且内部带有PLL,所以能够完成高分率的TFT显现，最高可达1024×768.
功用特色：
1、选用Microsemi中等容量的A3P060以及SDRAM(IS42S16400F)来完成，相同具有本钱低的特色
2、接口灵敏，依据不同的需求能够定制Intel并行总线接口或SPI接口等
3、并行总线接口的速度最高可达50MHz左右，相当于800×600分辨率的TFT在1秒钟内能够更新100副图片
4、支撑双缓存的操作，两个缓存都可进行读写的操作
5、支撑定点和区域更新内容
6、支撑16位色1024×768以及以下分辨率的TFT显现屏，刷新率在60Hz以上
7、显现数据来源于MCU,数据能够寄存于外部的串行或并行的Flash,能够寄存图片、汉字库等，容量巨细由用户自行操控
8、配套供给的MCU GUI库能够完成画点、画线、画圆、画矩形等功用
计划三：高功用、低分辨率显现计划
该计划选用A3P060和SRAM的方法完成，并将串行Flash由FPGA来操控，因为A3P060资源较为丰厚，能够完成较高的图片显现速度，而且降低了MCU的担负。
功用特色：
1、选用Microsemi中等容量的A3P060以及SRAM(IS61LV25616AL)来完成，本钱较低，略高于前两者的计划
2、接口灵敏，依据不同的需求能够定制8位Intel并行总线接口或SPI接口等
3、TFT的显现数据经过FPGA从串行Flash读取，MCU担任发送图片显现的指令，大大减轻了MCU的担负，以至于能够经过一般的8位MCU即可完成TFT的操控显现，1秒钟内能够更新30副320×240分辨率的图片
4、支撑定点和区域更新内容
5、支撑16位色480×272以及以下分辨率的TFT显现屏
6、串行Flash最高支撑128Mbit的，能够寄存61幅480*272的图片
7、配套供给的MCU GUI库能够完成画点、画线、画圆、画矩形等功用
计划四：多功用、高分辨率显现计划
该计划选用A3P125和SDRAM的方法完成，因为A3125资源较为丰厚，除了能够完成高分辨率的显现以外，还能够完成多图层的功用，功用上高于上述的计划。
功用特色：
1、选用Microsemi中等容量的A3P125以及SDRAM(IS42S16400F)来完成，功用丰厚，功用较高;
2、接口灵敏，依据不同的需求能够定制Intel并行总线接口或SPI接口等;
3、并行总线接口的速度最高可达50MHz左右，相当于800×600分辨率的TFT在1秒钟内能够更新100副图片;
4、支撑双缓存的操作，两个缓存都可进行读写的操作;
5、支撑双缓存间数据复制功用，两缓存间能够进行DMA的数据复制;
6、支撑定点和区域更新内容;
7、支撑多图层的操作，能够支撑2~4个图层，依据不同的分辨率不同而不同;
8、支撑16位色1024×768以及以下分辨率的TFT显现屏，刷新率在60Hz以上;
9、显现数据来源于MCU,数据能够寄存于外部的串行或并行的Flash,能够寄存图片、汉字库等，容量巨细由用户自行操控;
10、配套供给的MCU GUI库能够完成画点、画线、画圆、画矩形等功用。
