电源下降维护电路
在实践运用中,有时需求考虑电源电压VDD的下降状况。电源下降维护电路如图1所示。在这个电路中,当VDD≤VD+0.7V时,则会发生复位,原理为稳压管的稳压值VD和晶体管Q1的e、b正向压降之和大于VDD,稳压管Vz截止,晶体管Q1截止,MCLR端为低电平,单片机处于复位状况。
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| 图2是另一种维护电路,电路顶用电阻替代了稳压管,价格较低,但作用较差,当VDD≤(R1+R2)×0.7/R1时,晶体管截止,MCLR为低电平,单片机复位。
[2].省电SLEEP 履行SLEEP指令,进入省电方式,此刻WDT被清“0”,然后重新开端计数,f3寄存器“PD”位被清“0”,“TO”位被置“1”,振动驱动器停止作业,一切I/O坚持本来状况,这种作业方式功耗最低。 为使单片机功耗最小,进入SLEEP前,应使一切I/O口处于低电平或高电平状况,处于高阻状况的I/O脚应由外部设置成高或低电平（加上拉或下拉）,以防止浮空输入所发生的开关电流。RTCC的输入端相同应处于VDD或VSS,MCLR引脚需处于高电平,以使电流最小,功耗最低。 从SLEEP方式唤醒的进程如下：单片机可被WDT溢出或MCLR引脚上加一个低电平脉冲唤醒,在两种唤醒方法中,一般程序康复履行前,单片机停留在RESET状况,继续一个振动发动守时（OST）周期。标志寄存器STATUS的“PD”位,在上电时置“1”,会被“SLEEP”指令清“0”,此特征可用于检测单片机是上电复位仍是从省电方法唤醒复位。标志寄存器的TO位,可用于判别唤醒是由外部MCLR信号仍是WDT溢出引起的。 留意的是在运用外接RC的上电复位电路时,不引荐用WDT唤醒省电方式,由于WDT溢出时发生RESET一般不会使外%&&&&&%放电,且单片机只会由复位守时器的周期进行复位。 [3].装备位EPROM 装备位EPROM（configuration EPROM）有4个EPROM熔丝决议,这些位有别于程序存储器的EPROM一般位。 两个熔丝用于挑选振动器类型,另两个一个是WDT答应位,一个程序保密位。 · 用户识别码（Customer ID Code） P%&&&&&%16C5X系列有16个特别的EPROM位,它们不是程序存储器单元,这些位用于存储用户识别码、校验码或其它信息数据,这些单元不能在一般程序中拜访。 · 代码维护 当挑选将芯片的程序保密位熔丝烧断（写入0）后,程序存储区ROM中的程序代码（12位宽）的高8位将被维护。此刻读出的数据将是“00000000XXXX”方式,高8位悉数被“0”替代,无法再解说这些代码的意义,也即不能进行代码仿制,但单片机的功用并不受影响,代码程序依然可正确履行。然后维护自己的著作权。 当程序被维护时,从040H开端及以上存储单元的内容将受维护而不能编程,程序存储器地址000H—03FH的电源、用户ID码单元和装备位熔丝仍可编程。 |
