STM8 读一起写RWW

RWW特性答使用户在履行程序和读程序存储器时对DATA EEPROM区域进行写操作，因而履行的时刻被优化了。相反的操作是不答应的：即你不能够在写程序存储器时对DATA EEPROM进行读操作。

RWW特性是一向有用的并且能够在恣意时刻运用。留意：并不是一切STM8都具有RWW特性，请参阅相应的数据手册来了解更多信息。

字节编程

能够对主程序存储器和DATA区域逐字节地编程。要对一个字节编程，使用程序可直接向方针地址写入数据。

在主程序存储器中
当字节编程操作履行时，使用程序中止运转。
在DATA区域中
有RWW功用的器材：在IAP形式下，使用程序不中止运转，字节编程使用RWW功用进行操作。
无RWW功用的器材：当字节编程操作履行时，使用程序中止运转。

要擦除一个字节，向对应的字节简略写入0x00即可。
使用程序能够经过读FLASH_IAPSR存放器来校验编程或擦除操作是否已被正确履行：

在一次成功的编程操作后EOP位被置1。
当软件企图对一个被维护的页进行写操作时WP_PG_DIS位被置1。在这种状况下，写操作不会被履行。

假如FLASH_CR1中的IE位现已被预先使能，则只需这些标志位(EOP/WP_PG_DIS)中有一个被置位就会发生一个中止。
STM8主动快速字节编程,依据方针地址的初始化内容的不同，编程持续时刻或许也有所不同。假如字(4个字节)中包括不为空的字节，编程前字会被主动擦除。相反，假如字节为空，由于不会履行擦除操作然后编程时刻变短。但是，能够经过对FLASH_CR1中的FIX方位1来逼迫履行体系擦除操作而不论其内容是否为空，然后使编程时刻固定(请参阅FLASH操控存放器)。编程总时刻随之被规定为擦除时刻和写操作时刻的和（请参阅tPROG参数，在数据手册的”Flash program memory”表中）。

留意：为了快速写一个字节(没有擦除操作)，将要被写入数据的整个字(4个字节)有必要被预先擦除。因而不或许对同一个字做接连两次快速写操作(在第2次写之前没有擦除操作)：第一次写字节操作将是快速操作但针对别的一个字节的第2次写操作将需求一个擦除操作。

字编程

字写入操作答应一次对整个4字节的字进行编程，然后将编程时刻缩短。

主程序存储器和DATA EEPROM都能够进行字操作。在一些STM8S器材中，也具有当DATA EEPROM在进行写操作时一起具有RWW功用。请参阅数据手册了解更多信息。为了对一个字编程，FLASH_CR2和FLASH_NCR2中的/WPRG/NWPRG位有必要预先置位清零来使能字编程形式(请参阅4.9.2 FLASH操控存放器2(FLASH_CR2)和4.9.3 FLASH互补操控存放器2(FLASH_NCR2))。然后将要被编程字的4个字节有必要被从首地址开端装载。当四个字节都被写入后，编程周期主动开端。
像字节操作相同，STM8的FLASH_IAPSR中的EOP与WR_PG_DIS操控位和FLASH中止般配合，可用于查看操作是否被正确履行结束。

块编程

块编程比字节编程和字编程都要快。在STM8块编程操作中，整个块的编程或擦除在一个编程周期就能够完结。请参阅（表4）了解详细器材的块的巨细。在主程序存储器和DATA区域都能够履行块操作。

在主程序存储器中
用于块编程的代码有必要悉数在RAM中履行。
在DATA区域中
有RWW功用的器材：DATA块操作可在主程序存储器中履行，但是数据装载阶段(下文中有述)有必要在RAM中履行。
无RWW功用的器材：用于块编程的代码有必要悉数在RAM中履行。

一共有三种或许的块操作：

块编程(也叫规范块编程)：整个块在编程前被主动擦除。
快速块编程：在编程前没有预先的块擦除操作。
块擦除。