1，Nandflash的要害接口引脚 （要求：记住）
2，容量核算： (要求：了解怎么核算）
3，读写最根本时序 （要求：记住）
4，会装备读写时序timing （要求：了解怎么核算）
5，MCU的nandflash装备时，首要运用的寄存器 (要求：记住）
6，常用操作 （要求：记住）
7，nandflash的boot形式 （要求：记住）
8，ecc作业原理 （待做）
9，坏块根本处理方法 （要求：记住）
10，nandflash和norflash的根本差异 （要求：记住)
依据2440+nandflash(K9F2G08U0A)的温习
1,Nandflash的要害接口引脚（要求：记住）
CE（片选），nWE（使能写）,nWE(使能读)，ALE(地址/数据锁存)，CLE（指令锁存），RnB（忙标志），nWP（使能写
维护）
2，容量核算：（要求：了解怎么核算）
1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages
= (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 2,048 Blocks
= 2,112 Mbits
留意单位为Mbits=264Mbyte
别的，列地址A0-A11共12根线，为2^12=4K，其实要么2K，比(2K + 64)大，那么便是4K，需求12根线。 行地址17根
线，即2^17=131072，也便是64Pages x 2,048 Blocks。
3，读写根本最时序如下（要求：记住）
4，会装备读写时序timing。（要求：了解怎么核算）
比照如下图后得知TACLS=tcls-twp=0；TWRPH0=twp；TWRPH1=tclh,接着依据公式自己算寄存器值等等。
TACLS [13:12] CLE & ALE duration setting value (0~3)
Duration = HCLK x TACLS
2440nandflash接口延时命名如下：
nandflash时序及延时命名如下：
5，MCU的nandflash装备时，首要运用的寄存器（要求：记住）
a，装备寄存器：首要是装备timing。
b，操控寄存器：首要是操控nandflash使能等。
c，指令根底器：向寄存器写入指令数据后。则接口会主动产生一个写指令的时序。
d，地址寄存器：向寄存器写入地址数据后。则接口会主动产生一个写地址的时序。
e，数据寄存器：向寄存器读出数据后。则接口会主动产生一个读数据的时序。
f，状况寄存器：显现RnB的状况。
6，常用操作（要求：记住）
1，reset流程
当然先要片选使能，然后产生reset指令，检测经过状况寄存器检测RnB脚从低到高。就算reset成功了。
2，read ID
使能片选，检测RnB为闲后，写readid指令，延时后，读取data寄存器中的数据，读5次后，则让片选失效。
3，读操作
使能片选，检测RnB为闲后，写第一个读指令，然后写地址（列+行），再写第二个读指令，等候RnB由忙到闲，则
读取data寄存器中的数据。最终让片选失效。
注：其中有Read Operation with CE don’t-care，即CE连接在MCU的一个一般IO口上。能够不必管。
4，写操作
使能片选，检测RnB为闲后，写第一个写指令，然后写地址（列+行），再写第二个写指令，等候RnB由忙到闲后，
再读I/O bit0是否为0，为0则阐明编程没过错。即完成对nandflash的编程操作。
5，擦除操作
使能片选，检测RnB为闲后，写第一个擦除指令，然后写地址（列+行），再写第二个擦除指令，等候RnB由忙到闲
后，再读I/O bit0是否为0，为0则阐明擦除没过错。即完成对nandflash的擦除操作。
7，nandflash的boot形式（要求：记住）
MCU能够操控外部nandflash的boot方法。OM【1：0】=0时，则挑选从外部nandflash发动程序。
nandflash的发动机制：
a，条件：程序现已烧录到nandflash的0地址开端处。能够用jlink直接烧录法等。
b，2440MCU上电后，会主动读取nandflash的前4K到它的内部sarm（该区域名称为SteppingStone），然后在
SteppingStone中运转程序。那么假定nandflash中的数据大于4K，而主动仿制巨细仅为4K，怎么办呢？所以，在这4K
代码中需求参加copynand2ram。然后，复制完后，接着PC跳到下一个标志方位持续履行。（解释一下标志方位，怎么
一开端在内部sarm中，或许地址为0x100，可是当copynand2ram函数运转完后，此标志方位就会变成
0x30000000+0x100。那么就能够持续履行，而不是重复履行了）
8，ecc作业原理（待做）
9，坏块根本处理方法（要求：记住）
当检测到坏块后，nandflash会主动运用预留的block来替代。而且为此坏块做符号。
* Step1
When an error happens in the nth page of the Block ’A’ during erase or program operation.
* Step2
Copy the data in the 1st ~ (n-1)th page to the same location of another free block. (Block ’B’)
* Step3
Then, copy the nth page data of the Block ’A’ in the buffer memory to the nth page of the Block ’B
’.
* Step4
Do not erase or program to Block ’A’ by creating an ’invalid block’ table or other appropriate
scheme.
10，nandflash和norflash的根本差异（要求：记住）
a，接口不同，nandflash是地址指令线共用的。norflash是分隔的。
b，速度不同，nandflash的写入是擦除速度比norflash快许多，norflash的读取速度比nandflash快。
c，可靠性不同，nandflash简单呈现坏块
d，寿数不同，nandflash可擦除一百万次，norflash可擦除十万次。
e，文件体系不同。nandflash选用yaffs文件体系，norflash选用jffs文件体系
f，价格容量不同。nandflash容量大，价格偏低。norflash容量小，价格偏高。
