导言
TMS320C6701(以下简称C6701)是TI公司的一款浮点运算DSP，适用于需求很多运算且实时性要求高的场合，如导航解算等。在TI公司浮点DSP芯片中，C6701是一款可运用于恶劣环境并具有高牢靠性的产品，因而该型DSP芯片尽管推出较早，却仍然在某些范畴具有重要运用价值。
DSP运用程序需脱离开发体系独立作业，在实时DSP运用体系中，一般将运用程序存储在外部非易失性存储器(如FLASH、EEPROM、PROM等)中。体系上电后，DSP将外部程序存储器的程序代码加载到可高速存取的RAM中，加载完结后主动跳转到零地址开端运转。因而DSP程序烧写及主动加载是实时DSP体系规划的重要部分。本文选用的烧写办法不需求格局转化到外部辅佐设备，一起DSP程序不再进行二次加载，简化了烧写及程序主动加载的进程。
1 加载计划及电路规划
1.1 外围电路规划
C6701有三种加载形式：不加载(No Boot)、ROM加载(Rom Boot)、主机加载(Host Boot)。这三种加载形式由C6701的BOOTMODE[4：0]引脚电平设定，由这5个引脚的设置一起决议运用何种存储空间映射形式。
在恶劣环境及高牢靠运用场合中，可运用不加载办法，也可运用程序从ROM中加载到DSP片外高牢靠RAM存储器中的运转办法。FLASH、EEPROM、PROM等程序存储芯片多为8位或16位，在高牢靠运用环境中8位比较常见。本文中设置BOOTMODE[4：0]为01010B，即程序由外部8位程序存储器加载到外部32位SRAM中，LENDIAN引脚接高电平。
外部程序存储器选用FLASH芯片AM29LV160，32位SRAM芯片选用ACT—S512K32V。FLASH和SRAM芯片与C6701的硬件衔接如图1和图2所示。
1.2 加载计划规划
在BOOTMODE[4：0]为01010B的设置下，程序由外部8位程序存储器加载到外部32位SRAM中。C6701具体加载进程为：DMA按默许时序从CE1地址(0x01000000)仿制64 KB到零开端地址外部SRAM芯片中，加载完结后，从零地址处开端履行。C6701加载进程与C6713稍有不同，C6713只仿制1 KB到零开端地址。64 KB运用程序能够满意部分运用需求，本例中运用程序小于64 KB，C6701的DMA主动加载即可满意要求。当运用程序大于64 KB时，开发人员需求在前64 KB中编写将DSP运用程序从外部ROM搬移到指定存储空间的二级引导程序，具体进程可参阅文献。
2 DSP运用程序规划
一个C言语工程一般包含.c文件、.cmd文件、.asm文件、.h文件和.lib文件。其间.cmd文件既是内存定位文件，又是链接器指令文件，在链接进程中起着重要作用。链接时，链接器把一切方针文件中的同名段兼并，并按链接器指令文件给各段分配地址。中止向量表决议加载完结后的C言语程序进口，一般中止向量表用.asm文件完结。.cmd文件和中止向量表的编写是决议DSP程序加载成功与否的要害和难点。
2.1 .cmd文件规划
.cmd文件的作用是完结运用程序和数据在DSP映射存储空间中的定位，存储空间的分配与硬件规划密切相关。本文BOOTMODE[4：0]为01010B，即存储空间为MAP0映射形式，由CE0片选的RAM空间开端地址为0x00000000，由CE1片选的FLASH空间开端地址为0x01000000，用户程序小于64KB。.cmd文件如下：
2.2 中止向量表规划
本文中止向量表如下：
上电或复位完结后，DMA按默许时序从CE1地址仿制64 KB到零开端地址处，加载完结后，DSP从零地址开端履行。本文中止向量表从程序空间0地址开端寄存，每个中止向量8个字节，总计巨细为0x200字节。加载完结后程序从0地址开端履行，直接跳转到DSP主程序进口～c_int 00处。
3 烧写程序规划
运用程序编写完结后，需求将程序烧写到程序存储器中。程序烧写主要有以下几种办法：
①选用通用烧写器进行烧写;
②运用CCS中自带FlashBurn东西烧写;
③用户自己编写烧写程序，由DSP将加载到片上的运用程序烧写到程序存储器中。
运用通用烧写器烧写时，需求程序存储器为可插拔的，这样给规划带来不方便。FlashBurn支撑的存储器品种有限，关于运用国产存储器芯片的场合不一定适宜，别的FlashBurn不能辨认方针文件，需求将方针文件转化为二进制文件后才可烧写。
选用用户自己编写烧写程序的办法较为灵敏。具体办法为：独自树立一个烧写工程文件，烧写时，先把运用程序工程编译生成的方针文件加载到方针DSP电路的RAM中，再把烧写工程文件生成的方针文件加载到方针DSP电路RAM的另一个地址空间中，运转main函数后履行烧写程序直到烧写完结。这种烧写办法能够避免两次加载或许形成的掩盖，避免第2次加载时修正第一次加载的内容。
3.1 烧写程序的.cmd文件和中止向量表规划
烧写程序的.cmd文件与用户运用程序的.cmd文件相同，但程序地址分配空间须严厉区别开来。本文将用户程序地址空间组织在从0开端的0xB400空间内，烧写程序组织在从0xC000开端的0x3400空间内。烧写程序.cmd文件地址空间分配如下：
MEMORY{
VECS： o=0000C000h l=00000400h
PMEM： o=0000C400h l=00003000h
}
假如需求优化程序空间，能够经过编译生成的.map文件得到用户程序和烧写程序实践占用的空间，经过修正，.cmd文件进一步优化。
烧写程序没有中止，能够只保存_c_int00，简略起见，也能够选用与运用程序完全相同的中止向量表。
3.2 烧写程序规划
在规划烧写程序前，需求充沛了解程序存储芯片的操作进程。本文运用的FLASH芯片AM29LV160的操作码，有写操作、读操作、芯片擦除、块擦除、确认等十余种操作。FLASH芯片在写操作前需求先进行擦除操作。烧写程序如下：
烧写程序规划和烧写操作中有以下几点需求留意：
①烧写时，一定要先把运用程序方针文件加载到RAM中，再把烧写程序方针文件加载到RAM中，然后运转main函数履行烧写。
②程序中FLASH_ADDRS为主动加载前程序存储的FLASH芯片地址，本文为0X01000000;RAM_ADDRS为加载后程序存储的地址，本文为外部SRAM芯片地址0x00000000。
③进行FLASH芯片操作前需对EMIF进行初始化，程序中my_EmifCog为7个32位二进制数组成的数组，别离装备GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM这7个操控寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片，CE2接8位FLASH芯片，别离设置CECTL0为0xFFFF3F23、CECTL1为0xFFFF3F03，其他操控寄存器需求依据运用状况来确认。
④FLASH芯片可整片擦除，也可块擦除，需擦除完结后才能对FLASH芯片进行写操作。FLASH芯片擦除时刻较长，需求在擦除子程序后设置断点，等候擦除完结(能够CCS中检查0x01000000开端的FLASH空间全为0xFF为参阅)后，再进行程序烧写操作。
⑤程序中PRO_LEN为用户程序长度，为用户运用程序，.cmd文件设置中止向量、程序等分配的总长度，本文为0xB400。
⑥程序加载到的外部SRAM为32位，FLASH芯片为8位，LENDIAN为高电平。烧写程序从SRAM中读取的程序为32位，32位数据需求依照从低到高的次序烧写到8位FLASH芯片中。
结语
实践工程运用验证了上述烧写及主动加载办法的可行性。本文所述的加载进程比二次加载节省了DSP体系启动时刻，但因加载进程中FLASH芯片读写等候时刻为默许设置，用户不能更改，程序加载时刻仍达120 ms，在某些看门狗时刻较短的运用中需求特别考虑。本文的程序烧写办法还能够推行运用于TI公司其他的DSP体系中。
