mos管小电流发热严峻怎样处理

　　小电流mos管发热剖析

　　mos管，做电源规划，或许做驱动方面的电路，不免要用到MOS管。MOS管有许多品种，也有许多效果。做电源或许驱动的运用，当然便是用它的开关效果。

　　不论N型或许P型MOS管，其作业原理实质是相同的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来操控输出端漏极的电流。MOS管是压控器材它经过加在栅极上的电压操控器材的特性，不会发作像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因而在开关运用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图：

　　在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，如图2漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不论负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是抱负的模仿开关器材。这便是MOS管做开关器材的原理。当然MOS管做开关运用的电路方式比较多了。

　　在开关电源运用方面，这种运用需求MOS管定时导通和关断。比方，DC-DC电源中常用的根本降压转换器依靠两个MOS管来履行开关功用，这些开关替换在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。咱们常挑选数百kHz甚至1MHz以上的频率，由于频率越高，磁性元件能够更小更轻。在正常作业期间，MOS管只相当于一个导体。因而，咱们电路或许电源规划人员最关怀的是MOS的最小传导损耗。

　　咱们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制作商选用RDS（ON）参数来界说导通阻抗，对开关运用来说，RDS（ON）也是最重要的器材特性。数据手册界说RDS（ON）与栅极（或驱动）电压VGS以及流经开关的电流有关，但关于充沛的栅极驱动，RDS（ON）是一个相对静态参数。一向处于导通的MOS管很简略发热。别的，渐渐升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。MOS管数据手册规则了热阻抗参数，其界说为MOS管封装的半导体结散热才干。RθJC的最简略的界说是结到管壳的热阻抗。

　　mos管小电流发热的原因

　　1、电路规划的问题，便是让MOS管作业在线性的作业状况，而不是在开关状况。这也是导致MOS管发热的一个原因。假如N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才干彻底导通，P-MOS则相反。没有彻底翻开而压降过大形成功率耗费，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是规划电路的最忌讳的过错。

　　2、频率太高，主要是有时过火寻求体积，导致频率进步，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

　　3、没有做好满足的散热规划，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需求杰出的散热才干到达。所以ID小于最大电流，也或许发热严峻，需求满足的辅佐散热片。

　　4、MOS管的选型有误，对功率判别有误，MOS管内阻没有充沛考虑，导致开关阻抗增大。