什么是场效应管
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
场效应管（FET）是使用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材，并以此命名。
场效应管的特色
（1）场效应管是电压操控器材，它通过VGS（栅源电压）来操控ID（漏极电流）；
（2）场效应管的操控输入端电流极小，因而它的输入电阻（10～10Ω）很大。
（3）它是使用大都载流子导电，因而它的温度稳定性较好；
（4）它组成的扩大电路的电压扩大系数要小于三极管组成扩大电路的电压扩大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）因为它不存在凌乱运动的电子分散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管的参数
场效应管的参数许多，包含直流参数、沟通参数和极限参数，但一般运用时只需重视以下主要参数：饱满漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或敞开电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源电流IDSM。
（1）饱满漏源电流
饱满漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。
（2）夹断电压
夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。好像4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线，可理解看出IDSS和UP的含义。如图4-26所示为P沟道管的UGS-ID曲线。
（3）敞开电压
敞开电压UT是指加强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。如图4-27所示为N沟道管的UGS-ID曲线，可理解看出UT的含义。如图4-28所示为P沟道管的UGS-ID曲线。
（4）跨导
跨导gm是表明栅源电压UGS对漏极电流ID的操控才干，即漏极电流ID改变量与栅源电压UGS改变量的比值。9m是权衡场效应管扩大才干的重要参数。
（5）漏源击穿电压
漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一守时，场效应管正常作业所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的作业电压必需小于BUDS。
（6）最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应管功能不变坏时所答应的最大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。
（7）最大漏源电流
最大漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应管正常作业时，漏源间所答应通过的最大电流。场效应管的作业电流不该逾越IDSM。
