晶闸管归纳常识
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,曾经被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上榜首晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管作业条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器材有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器材,在电路顶用文字符号为“V”、“VT”标明(旧规范顶用字母“SCR”标明)。
晶闸管具有硅整流器材的特性,能在高电压、大电流条件下作业,且其作业进程能够操控、被广泛应用于可控整流、沟通调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管的品种
晶闸管有多种分类办法。
(一)按关断、导通及操控办法分类
晶闸管按其关断、导通及操控办法可分为一般晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
(二)按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
(三)按封装办法分类
晶闸管按其封装办法可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三品种型。其间,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(四)按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。一般,大功率晶闸管多选用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多选用塑封或陶瓷封装。
(五)按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为一般晶闸管和高频(快速)晶闸管。
晶闸管的作业原理
晶闸管T在作业进程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载衔接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与操控晶闸管的设备衔接,组成晶闸管的操控电路。
晶闸管的作业条件:
1. 晶闸管接受反向阳极电压时,不管门极接受何种电压,晶闸管都处于关断状况。
2. 晶闸管接受正向阳极电压时,仅在门极接受正向电压的状况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通状况下,只需有必定的正向阳极电压,不管门极电压怎么,晶闸管坚持导通,即晶闸管导通后,门极失掉效果。
4. 晶闸管在导通状况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
从晶闸管的内部剖析作业进程:
晶闸管是四层三端器材,它有J1、J2、J3三个PN结图1,能够把它中心的NP分红两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2
当晶闸管接受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,有必要使接受反向电压的PN结J2失掉阻挠效果。图2中每个晶体管的集电极电流一起便是另一个晶体管的基极电流。因而,两个相互复合的晶体管电路,当有满足的门机电流Ig流入时,就会构成激烈的正反馈,形成两晶体管饱满导通,晶体管饱满导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
然后能够得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改动而急剧改变如图3所示。
当晶闸管接受正向阳极电压,而门极未受电压的状况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状况。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于满足大的Ig流经NPN管的发射结,然后进步起点流放大系数a2,发作满足大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并进步了PNP管的电流放大系数a1,发作更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样激烈的正反馈进程敏捷进行。从图3,当a1和a2随发射极电流添加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因而进步了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决议。晶闸管已处于正导游通状况。
式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即便此刻门极电流Ig=0,晶闸管仍能坚持本来的阳极电流Ia而持续导通。晶闸管在导通后,门极已失掉效果。
在晶闸管导通后,假如不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到坚持电流IH以下时,由于a1和a1敏捷下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管康复阻断状况。
可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。其首要特色为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
前已述及,一般晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能坚持通态。欲使之关断,有必要堵截电源,使正向电流低于坚持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需求添加换向电路,不只使设备的体积分量增大,而且会下降功率,发作波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺点,它既保留了一般晶闸管耐压高、电流大等长处,以具有自关断才能,运用方便,是抱负的高压、大电流开关器材。GTO的容量及运用寿命均逾越巨型晶体管(GTR),仅仅作业频纺比GTR低。现在,GTO已到达3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等范畴,显示出强壮的生命力。
可关断晶闸管也归于PNPN四层三端器材,其结构及等效电路和一般晶闸管相同,因而图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块办法。
虽然GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断办法天壤之别。这是由于一般晶闸管在导通之后即外于深度饱满状况,而GTO在导通后只能到达临界饱满,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数便是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,阐明门极电流对阳极电流的操控才能愈强。很显然,βoff与兴盛 的hFE参数颇有相似之处。
下面别离介绍运用万用表断定GTO电极、查看GTO的触发才能和关断才能、估测关断增益βoff的办法。
1.断定GTO的电极
将万用表拨至R×1档,丈量恣意两脚间的电阻,仅当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它状况电阻值均为无穷大。由此可敏捷断定G、K极,剩余的便是A极。
2.查看触发才能
如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也一起触摸G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即标明GTO现已导通;最终脱开G极,只需GTO坚持通态,就阐明被测管具有触发才能。
3.查看关断才能
现选用双表法查看GTO的关断才能,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法坚持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,假如表Ⅰ的指针向左摆到无穷大方位,证明GTO具有关断才能。
4.估测关断增益βoff
进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ逼迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最终根据读取电流法按下式预算关断增益:
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流份额系数;
K2—表Ⅱ在R×10档的电流份额系数。
βoff≈10×n1/ n2
此式的长处是,不需求详细核算IAT、IG之值,只需读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可敏捷估测关断增益值。
留意事项:
(1)在查看大功率GTO器材时,主张在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以进步测验电压和测验电流,使GTO可靠地导通。
(2)要精确丈量GTO的关断增益βoff,有必要有专用测验设备。但在业余条件下可用上述办法进行估测。由于测验条件不同,丈量成果仅供参阅,或作为相对比较的根据。
逆导晶闸管RCT(Reverse-ConducTIng ThyrisTIr)亦称反导游通晶闸管。其特色是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状况。由于这种特别电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时刻短、通态电压低一级优秀功能。例如,逆导晶闸管的关断时刻仅几微秒,作业频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器材适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可替代晶闸管和续流二极管各一只,不只运用方便,而且能简化电路设计。
逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与一般晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标方位不同)。
逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)出产的S3900MF,其外形见图1(c)。它选用TO-220封装,三个引出端别离是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的首要参数如下:
断态重复峰值电压VDRM:>750V
通态均匀电流IT(AV):5A
最大通态电压VT:3V(IT=30A)
最大反导游通电压VTR:<0.8V
最大门极触发电压VGT:4V
最大门极触发电流IGT:40mA
关断时刻toff:2.4μs
通态电压临界上升率du/dt:120V/μs
通态浪涌电流ITSM:80A
运用万用表和兆欧表能够查看逆导晶闸管的好坏。测验内容首要分三项:
1.查看逆导性
挑选万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参见图3(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,阐明二极管开路。
2.丈量正向直流转机电压V(BO)
依照(b)图接好电路,再按额外转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。
3.查看触发才能
实例:运用500型万用表和ZC25-3型兆欧表丈量一只S3900MF型逆导晶闸管。顺次挑选R×1k、R×100、R×10和R×1档丈量A-K极间反向电阻,一起用读取电压法求出出内部二极管的反导游通电压VTR(实践是二极管正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。悉数数据整理成表1。由此证明被测RCT质量杰出。
留意事项:
(1)S3900MF的VTR<0.8V,宜选R×1档丈量。
(2)若再用读取电流法求出ITR值,还能够制作反向伏安特性。
①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元件,如大功率电阻、大功率三极管以及电源变压器等。关于大功率晶闸管,有必要按手册申的要求加装散热设备及冷却条件,以确保管子作业时的温度不逾越结温。
②晶闸管在运用中发作逾越和短路现象时,会引发过电流将管子焚毁。关于过电流,一般可在沟通电源中加装快速保险丝加以维护。快速保险丝的熔断时刻极短,一般保险丝的额外电流用晶闸管额外均匀电流的1.5倍来挑选。
③沟通电源在接通与断开时,有可能在晶闸管的导通或阻断对呈现过压现象,将管子击穿。关于过电压,可选用并联RC吸收电路的办法。由于电容两头的电压不能骤变,所以只需在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电路,就能够削弱电源瞬间呈现的过电压,起到维护晶闸管的效果。当然也能够选用压敏电阻过压维护元件进行过压维护。
可控硅的运用留意事项
选用可控硅的额外电压时,应参阅实践作业条件下的峰值电压的巨细,并留出必定的余量。
1、选用可控硅的额外电流时,除了考虑经过元件的均匀电流外,还应留意正常作业时导通角的巨细、散热通风条件等要素。在作业中还应留意管壳温度不逾越相应电流下的答应值。
2、运用可控硅之前,应该用万用表查看可控硅是否杰出。发现有短路或断路现象时,应立即替换。
3、严禁用兆欧表(即摇表)查看元件的绝缘状况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,而且确保所规则的冷却条件。为确保散热器与可控硅管心触摸杰出,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于杰出的散热。
5、按规则对主电路中的可控硅选用过压及过流维护设备。
6、要避免可控硅操控极的正向过载和反向击穿。
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