双向可控硅是近年来体现较为优异的一种沟通开关器材,其在运用上又有着较为显着的多样性优势。在之前的文章中,小编曾为我们介绍过关于双向可控硅运用中关于导通的相关规矩技巧。本文将为我们介绍双向可控硅在导通时dIT/dt的运用规矩与技巧。
在进行双向可控硅运用时,需求选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,能够最大极限进步双向可控硅的dIT/dt承受能力。
具有高初始涌入电流的常见负载是白炽灯,冷态下电阻低。关于这种电阻性负载,若在电源电压的峰值开端导通,dIT/dt将具有最大值。假设这值有或许超越双向可控硅的dIT/dt值,最好在负载上串联一只几μH的电感加以约束,或串联负温度系数的热敏电阻。重申,电感在最大电流下不能饱满。一旦饱满,电感将下跌,再也不能约束dIT/dt。无铁芯的电感契合这个条件。一个更奇妙的解决办法是选用零电压导通,不用接入任何约束电流的器材。电流能够从正弦波起点开端逐步上升。留意:应该提示,零电压导通只能用在电阻性负载。关于电理性负载,因为电压和电流间存在相位差,运用这方法会引起“半波”或单极导通,或许使电理性负载饱满,导致破坏性的顶峰电流,以及过热。这种场合,更先进的操控技能选用零电流切换或变相位角触发。
若双向可控硅的dIT/dt有或许被超出,负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载选用零电压导通。
信任我们在阅读过本文之后都对双向可控硅导通dIT/dt有了全新的知道,只需依照文中给出的相关规矩进行双向可控硅导通dIT/dt,信任便能顺利完成读者所需的规划。在之后的文章中,小编将为我们持续介绍双向可控硅在其他运用中的标准与技巧。