在您的电源中很简单找到作为寄生元件的100fF电容器。您有必要理解，只要处理好它们才干取得契合EMI标准的电源。
从开关节点到输入引线的少数寄生电容（100毫轻轻法拉）会让您无法满意电磁搅扰（EMI）需求。那100fF电容器是什么姿态的呢？在Digi-Key中，这种电容器不多。即便有，它们也会因寄生问题而供给广泛的容差。
不过，在您的电源中很简单找到作为寄生元件的100fF电容器。只要处理好它们才干取得契合EMI标准的电源。
图1是这些非方案中电容的一个实例。图中的右侧是一个笔直装置的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入衔接从左边进入，抵达距漏极衔接1cm以内的方位。这便是毛病点，在这里FET的开关电压波形能够绕过EMI滤波器耦合至输入。
图1. 开关节点与输入衔接接近，会下降EMI功能
留意，漏极衔接与输入引线之间有一些由输入电容器供给的屏蔽。该电容器的外壳衔接至主接地，可为共模电流供给回来主接地的途径。如图2所示，这个细小的电容会导致电源EMI签名超出标准要求。
图2. 寄生漏极%&&&&&%导致超出标准要求的EMI功能
这是一条令人重视的曲线，由于它反映出了几个问题：显着超出了标准要求的较低频率辐射、共模问题一般很显着的1MHz至2MHz组件，以及较高频率组件的衰减正弦（x）/x散布。
