LED芯片是LED工业的最中心器材，芯片温度过高会严重影响 LED产品质量;但芯片及芯片内部的温度散布一直是检测难点，其主要的问题在于内部器材过小，特别是微米等级的金线(10微米左右)，无法用传统的热电偶/热电阻检测;运用红外热像仪以及特别配件能够对LED芯片内部进行检测，芯片内部的金线和正负电极温度散布状况可认为研制人员供给布线规划根据，以及为芯片研制散热体系也需求承认芯片各部位的发热状况，进步LED芯片质量。
但热像仪检测微米等级的LED金线和正负电极也是有必定难度的，常用装备的红外热像仪最小只能检测到0.2mm的方针，所以需求有特别的配件进行检测。
一、红外热像仪运用规范镜头和广角镜头检测的作用
方针为3mmLED芯片，下面的热像图均为同一类型热像仪(Ti50)加装不同镜头拍照：
规范镜头在150mm处拍照(150mm为Ti50热像仪的最小聚集间隔)
换装广角镜头在10mm处拍照
注：
1、最小聚集间隔：最小聚集间隔是红外镜头的重要参数，一般来说，间隔越近，在相同条件下拍照的清晰度就越好;但大部分的镜头时无法靠近检测的，与方针能离得多近便是最小聚集间隔。
2、现在大部分热像仪有红外和可见光两层拍照形式，但因LED芯片尺度小，热像仪需求在最近的极限间隔处拍照，已远低于可见光最小聚集间隔，故可见光一般无法在热图中显现，或可见光与红外热图方位差异较大。
从热像图的作用来看，规范镜头和广角镜头均只能看到LED芯片外表的大致温度散布，而彻底无法清楚地看到金线和正负电极等细节部分的温度散布，所以这两种装备并不能契合测验的要求。
二、运用微距镜头对LED芯片进行检测
热像仪换装13.5μm微距镜头在20mm处拍照3mm 蓝光LED芯片现场图
LED芯片红外热图，能够见到宽度为10μm金线和正负电极
使用软件，在热像图的芯片规模设置一条直线(下图左)，鄙人图右中能够看到这条线依照方位改变的温度改变曲线(横轴为像素坐标轴，纵轴为温度轴)，在线上进犯250个像素，芯片尺度为3mm，则在芯片上每个像素的尺度为3mm/250=12μm，也便是说，热像仪能够分辨出直径为12微米的部件的纤细温差。
