相变存储器(phase-change memory，PCM) 现已悄然现身在手机产品中?依据工程参谋组织 UBM TechInsights 的一份拆解剖析陈述，发现在某款奥秘手机中，有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package，MCP)存储器，内含与NOR快闪存储器兼容的相变存储器芯片。
TechInsights拆解的手机产品，根据客户秘要不泄漏类型与厂牌;该组织表明，要比及与客户之间的作业告一段落，才干发布该手机到底是哪一款。三星曾于4月时泄漏，该公司将在第二季出货一款内含512Mbit相改变存储器芯片的 MCP ;其时三星并未泄漏该产品将选用哪种制程技能，仅表明该产品“相当于40奈米NOR快闪存储器。”
业界以为三星将选用65纳米至60纳米制程出产上述存储器;而拆解剖析陈述以显微镜所量测出的半距离(half-pitch)存储器长度(如下图)，是每微米(micron) 8个回忆单元(cell)，就证明晰以上的猜想。
三星512Mbit相改变RAM的横切面
现在现已被美光(Mciron)兼并的恒忆(Numonyx)，在2008年宣布了一款90纳米制程128Mbit相变存储器，并在2010年4月以 Omneo系列串列/并排存取存储器面世;可是到目前为止，该公司都未泄漏任何有关该产品的规划案或是量产方案。此外恒忆也开发了一款45纳米制程的 1Gbit相改变存储器，但这款本来预期本年上市的产品，迄今也未有后续音讯。
UBM TechInsights现已承认，三星的512Mbit相改变RAM (PRAM)芯片，商标号码为KPS1N15EZA，与一颗128Mbit UtRAM芯片以MCP方式封装在一起，并应用于手机产品中。该款三星的PRAM芯片由4层铝互连层与存储器元素所组成，顶部与底部的电极 (electrode contacts)是设备在铝金属与硅基板之间。
内含PCM的MCP存储器外观
“最近业界对相改变存储器技能的微缩极限有争议，再加上恒忆的产品推迟量产，让人质疑PRAM是否真能接班成为新一代存储器;”UBM TechInsights 资深参谋Young Choi表明：“对相改变存储器现已应用在手机的发现，清楚表明晰产品规划工程师现已开始使用这种具潜力的技能。”
包括相改变存储器MCP的手机主机板拆解图
