具有片上过错校对代码的低功耗MoBL器材横空出世。
与没有ECC功用的SRAM比较，16 Mb SRAM的数据可靠性进步了几千倍，一起可延长手持式设备的电池作业时刻。
静态随机存取存储器(SRAM)商场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣告，其具有过错校对代码(ECC)的16Mb低功耗异步SRAM 已开端出样。全新MoBL® (More Battery Life™，更久电池续航) SRAM的片上ECC功用可使之具有最高水准的数据可靠性，而无需别的的过错校对芯片，然后简化规划并节约电路板空间。该MoBL器材可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等使用领域里手持设备的电池续航时刻。
布景辐射形成的软过错可损坏存储内容，丢掉重要数据。赛普拉斯新式异步SRAM中的硬件ECC模块可在线履行一切过错校对动作，无需用户干涉，因此具有业界最佳的软过错率(SER)功能，过错率仅有0.1 FIT/Mb(1个FIT相当于器材每作业十亿小时产生一个过错)。 这些新器材与现有的异步低功耗SRAM管脚兼容，客户不用更改电路板规划即可进步体系可靠性。16Mb MoBL 异步SRAM还具有可选的过错指示信号，可指示单位(Single-Bit)过错的产生和校对。
赛普拉斯异步SRAM事业部高档总监Sunil Thamaran说：“自从咱们上一年推出带ECC的快速SRAM以来，客户反应十分激烈。在这一系列中添加MoBL器材，可使更多的使用获益于咱们的片上 ECC技能。赛普拉斯致力于不断开发SRAM新技能，更好地为客户服务，稳固咱们毫无争议的商场领导地位。”
赛普拉斯的16Mb MoBL异步SRAM具有业界规范的x8, x16 和 x32装备。器材具有多种作业电压(1.8V， 3V和5V)，作业温度规模为-40C 至 +85C(工业级)和-40C 至 +125C(轿车级)。
