(一)晶体管资料与极性的判别
1.从晶体管的类型命名上辨认其资料与极性 国产晶体管类型命名的第二部分用英文字母A"D表明晶体管的资料和极性。其间，“A”代表锗资料PNP型管，“B”代表锗资料NPN型管，“C”代表硅资料PNP型管，“D”代表硅资料NPN型管。
***产晶体管类型命名的第三部分用字母A"D来表明晶体管的资料和类型(不代表极性)。其间，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。一般，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管类型命名的第一部分用字母“A”和“B”表明晶体管的资料(不表明NPN或PNP型极性)。其间，“A”表明锗资料，“B”表明硅资料。
2.从封装外形上辨认晶体管的引脚 在使用权晶体管之前，首先要辨认晶体管各引脚的极性。
不同品种、不同类型、不同功用的晶体管，其引脚摆放方位也不同。经过阅览上述“晶体管的封装外形”中的内容，能够快速辨认也常用晶体管各引脚的极性。
3.用万用表判别晶体管的极性与资料 关于类型标志不清或虽有类型但无法辨认其引脚的晶体管，能够经过万用表测验来判别出该晶体管的极性、引脚及资料。
关于一般小功率晶体管，能够用万用表R&TImes;100Ω档或R&TImes;1k档，用两表笔丈量晶体管恣意两个引脚间的正、反向电阻值。
在丈量中会发现：当黑表笔(或红表笔)接晶体管的某一引脚时，用红表笔(或黑表笔)去别离触摸别的两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此刻，所测晶体管与黑表笔(或红表笔)衔接的引脚就是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔，则该管为PNP管;若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。
也能够先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔触摸，再用另一表笔去别离触摸别的两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚就是基极B，而别的两个引脚为发射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与别的两个引脚之间正向电阻值的巨细。一般，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。
PNP型晶体管，能够将红表笔接基极B，用黑表笔别离触摸别的两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次丈量中，黑表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大的一次丈量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。
NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去别离触摸别的两个引脚。在阻值较小的一次丈量中，红表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大一次丈量中，红表笔所接的引脚为发射极E。
经过丈量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判别出晶体管的资料(区分出是硅管仍是锗管)及好坏。一般锗管PN结(B、E极之间或B、C极之间)的正向电阻值为200"500Ω，反向电阻值大于100kΩ;硅管PN结的正向电阻值为3"15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判别该管已击穿或开路损坏。
(二)晶体管功能的检测
1.反向击穿电流的检测
一般晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流)，可经过丈量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。丈量时，将万用表置于R&TImes;1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。
正常时，锗资料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω(用R&TImes;100档测，电阻值大于2kΩ)，锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ(用 R×10档测)以上。硅资料晶体管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k档测)，实测值一般为500kΩ以上。
若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则阐明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值挨近0，则阐明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值跟着管壳温度的增高而变小许多，则阐明该管的热稳定性不良。
也能够用晶体管直流参数测验表的ICEO档来丈量晶体管的反向击穿电流。测验时，先将hFE/ICEO挑选开关置于ICEO档，挑选晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测验孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。
