一、结构及类型
半导体按资料首要可分为硅管和锗管，其结构如下图示（箭头方向即为电流方向）
二、伏安特性
其伏安特性曲线如下图示，
正向特性：1. 死区电压巨细与原料有关，其间Si是0.5V,Ge是0.1V
正向管压降：Si是0.7V，Ge是0.3V
反向特性：IuI
IuI>u(击穿），i反向增大
三、发生击穿原理
条件：半导体的掺杂浓度高，空间电荷区有较强电场，其类型可分为齐纳和雪崩齐纳特色：击穿电压低于4V,击穿电压具有负的温度系数（即温度越高，所需电压越小）雪崩特色：IuI>6V,具有正的温度系数 四、温度对功能影响1.温度升高，死区电压、正向管压降下降2.温度升高，少子浓度增大，反向饱和电流增大
六、特种二级管（即稳压二极管），曲线图如下示
特色：击穿可逆，作业于反向击穿区电参数：安稳电压Uz 动态电阻Rz=Uz的改变量/Iz的改变量 最大答应作业电流Izm 最大答应功率耗散Pzm七、抱负稳压管1.U>0,Dz导通，视为短路2.U
五、常用线性模型1.抱负模型：U>0,D导通，两头电压看做0V，视为短路 U<0,D截止，Id=0A(此电流是二级管上的电流，用Id表明）,视为开路2.恒压模型：U>Uf,D导通，Ud=Uf,D视为恒压源（Uf）U
