存储器在半导体职业便是一块全能膏药，或许嵌入到SoC里或许作为独自的存储元件，有数据核算和程序存储的要求就有它的用武之地。当时的干流半导体存储器可以简略的分红易失性和非易失性两部分，它们各有所长，使用范畴也因这一特性而是爱憎分明。
易失性的存储器包含静态存储器SRAM和动态存储器DRAM，SRAM和DRAM在掉电的时分均会失掉保存的数据，可是RAM 类型的存储器易于运用、性能好。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢掉所存储的数据。可是一切的干流的非易失性存储器均源自于ROM（只读存储器）技能，包含现已简直不再运用的EPROM、EEPROM和正当红的FLASH，它们写入速度慢，擦写的次数显着少于易失性的存储器。
业界希望下一代的存储技能可以扬长避短完成“通用”的特性，商场调研公司iSuppli也曾估计，到2019年，兼具SRAM的速度、DRAM的密度与FLASH的非易失性特色的“通用”存储芯片商场或许到达763亿美元。当然这仅仅对存储技能的夸姣愿景，尽管现在现已呈现多种让人振作的新存储技能，FeRAM、MRAM和OUM等等，可是还没有哪一种技能趋于完美。
FeRAM是被给予期望的技能之一，它以铁电物质为原材料，将细小的铁电晶体集成进电容内，经过施加电场，铁电晶体的电极在两个安稳的状况之间转化，完成数据的写入与读取。每个方向都是安稳的，即便在电场撤消后仍然坚持不变，因而能将数据保存在存储扇区而无需定时更新。FeRAM的写入次数可以高达1014次和10年的数据保存才能。在重写某个存储单元之前，FeRAM不用擦洗整个扇区，因而数据读写速度也技高一筹。此外，FeRAM的低作业电压可以下降功耗，这对移动设备来说具有非常大的吸引力。
从Ramtron 1993年就现已推出了第一个商用的FeRAM到现在，FeRAM的商场仍然相对限制计量仪器、电表、转速记录器这些范畴。FeRAM在信息读取过程中伴随着很多的擦除/重写的操作，也便是不断的极化回转，这让FeRAM会产生疲惫失效等牢靠性问题。据Ramtron亚太区出售司理徐梦岚介绍，Ramtron的FM25H20现已将写入寿数进步到1012次，在很大程度上进步了FeRAM的使用寿数。此外，FeRAM还亟需进一步进步存储密度，徐梦岚泄漏现在较高的工艺是130nm，Ramtron最近和TI达到商用协议使用TI的130nm FeRAM制作工艺出产4Mb的FM25H20。而现在最高的存储密度富士通使用65nm工艺技能出产出的256Mb 的FeRAM。这和以Gb为单位的FLASH还有不小的距离。
FeRAM技能优势显着，也是下一代存储技能中走在商用化最前端的，可是仍然摆脱不了来自FLASH的压力。而且FLASH在制作工艺上还有必定的进步空间，有人乃至以为“NAND FLASH至少还能开展三代”。FeRAM的开展之道应该是扬长补短，使用快速读写、低功耗的特性使用到对数据读写速度要求更高的范畴，一起联合高密度的RAM补偿存储容量有限的缺陷。
