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选用TinySwitch-Ⅲ的LED驱动电源规划

随着开关电源技术的不断发展和完善,小型轻量、高效率和低成本的开关电源得到了广泛的应用,以往开关电源的设计通常采用控制电路与功率管相分离的拓扑

跟着开关电源技能的不断发展和完善,小型轻量、高功率和低本钱的开关电源得到了广泛的运用,以往开关电源的规划一般选用操控电路与功率管相别离的拓扑结构,但这种计划存在本钱高、体系牢靠性低一级问题。美国功率集成公司(Power Integration Inc)开发的TinySwitch-Ⅲ系列新式智能高频开关电源集成芯片很好地处理了这些问题。

LED作为一种新式绿色光源,因为其具有耗电量低、寿数长、反响速度快、高效节能等长处,已被越来越广泛的运用。LED照明将成为继白炽灯、荧光灯、金属卤化物灯后的第四代新式照明技能。LED是一种新式的半导体器材,需求安稳的直流电源。但传统的驱动电源问题,形成LED照明光源寿数短的缺陷,因而规划一种安稳牢靠、转化功率高、寿数长的LED驱动电源关于LED照明至关重要。本文规划了依据TinySwitch-Ⅲ系列芯片的一种反激式低本钱高功率驱动电源电路,介绍了规划原理和办法。该驱动电源可以输出安稳的电压和安稳的电流,有效地延伸LED照明光源的寿数。

1 规划原理及芯片挑选

1.1 基本原理

反激式阻隔变换器最主要的特点是结构简略、本钱低,因而在中小功率开关电源中是最为常用的变换器之一。其典型拓扑结构如图1所示。图1中,+Uin为整流后的输入电压;T为脉冲变压器,规划中还应有回路操控的偏置绕组;D1为输出回路的快康复肖特基整流二极管;R1和C1为其阻容吸收电路;输出电路还包含由电感L0和两个电容C0组成的一个π型低通滤波电路;变压器初级有Rr、Cr和Dr组成的RCD漏感尖峰吸收电路;Q为操控脉冲变压器一次绕组导通和截止的反激式变换器所需的开关功率MOS管;Np为初级绕组匝数,Ns为次级绕组匝数;规划中变压器一次侧与二次侧的地信号选用安规电容阻隔;“·”表明同名端。

图1 反激式变换器拓扑结构

在反激式变换器中,Q导通时以阻隔变换器的磁芯贮存能量,Q断开后将贮存在T中能量开释至后级,通过整流二极管、滤波电路处理后,给负载RL供给所需求的优质电压和功率。

1.2 TNY275PN芯片介绍

TinySwitch-ⅢI器材以限流模:式作业。敞开时,振荡器在每个周期开始时注册功率MOSFET。电流上升到限流值或到达DC MAX的极限时关断MOS-FET。因为TinySwitch-Ⅲ规划的最高限流值与频率是定值,它供给给负载的功率与变压器初级电感及峰值初级电流的平方成正比。因而,电源的规划包含核算完成最大输出功率所需的变压器初级电感。假如依据功率挑选了正确的TinySwitch-Ⅲ,那么流过电感内的电流会在到达DC MAX极限前上升到限流值。

本规划选用TNY275PN电源芯片作为LED驱动电源的操控芯片。TNY275PN电源芯片在一个器材上集成了一个700 V高压MOSFET开关和一个电源操控器,与传统的PWM操控器不同,它运用简略的开/关操控方法来安稳输出电压。操控器包含一个振荡器、使能电路、限流状况调节器、5.8 V稳压器、旁路/多功能引脚(BP/M)欠压及过压电路、限流挑选电路、过热维护、电流限流维护、前沿消隐电路。该芯片具有主动重启、主动调整开关周期导通时刻及频率抖动等功能。

2 体系规划与完成

2.1 规划要求

AC输入电压规模U=195 V~265 V(一般在亚洲、欧洲和世界上大多数区域运用);

输出电压U。=20 V;输出电流I。=0.7 A;

输出功率P。=14 W;电路功率η≥80%。

2.2 电路完成

因为反激变换器电路简略且能高效供给直流输出,在中小功率、小体积的电源电路中特别常用,因而主电路选用RCD箝位电路的反激变换器拓扑结构,确认作业频率f=132 kHz。依据TinySwitch-Ⅲ的LED驱动电源电路图如图2。

图2依据TinySwitch-Ⅲ的LED驱动电源电路

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