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根据DM6446嵌入式虹膜识别系统的电源规划与完成

摘要:为了实现嵌入式虹膜识别系统的稳定工作,提出了一种基于软件关机电路的电源系统设计方案,并完成系统的硬件设计。该系统的硬件设计主要分为全局电源,内核电源和I/O模块电源3大部分,能够满足虹膜识别系统

摘要:为了完结嵌入式虹膜辨认体系的安稳作业,提出了一种依据软件关机电路的电源体系规划方案,并完结体系的硬件规划。该体系的硬件规划首要分为大局电源,内核电源和I/O模块电源3大部分,可以满意虹膜辨认体系的一切器材功耗需求。实践运用标明,该电源具有软件可操作性,可以使TMS320DM6446内核到达长时刻且安稳作业的特色,满意了规划需求。

关键词:嵌入式虹膜辨认体系;DM6446;软件关机电路;内核电源

跟着社会和科技的开展,身份认证的重要性日益闪现。传统的身份辨认办法因为其固有的局限性已远远不能满意要求,所以迫切希望有一种安全可靠、易于运用的辨别身份办法。虹膜辨认以其非触摸的收集办法,最准确的辨认办法,居于生物特征辨认体系的首位。现在,虹膜辨认体系完结渠道可分为依据PC机的虹膜辨认体系和依据嵌入式的虹膜辨认体系两大类。前者首要用于国防等国家大型办理体系等范畴;而后者适用于小规模认证,信息处理量不大,体系结构较为简略的高安全级别门禁体系等范畴。

本课题研讨开发了依据DM6446的嵌入式虹膜体系,首要研讨作业分为3部分:虹膜嵌入式硬件体系的完结、Linux操作体系下驱动编写和虹膜算法在DSP上的移植与优化。本文要点论述在该嵌入式硬件体系完结过程中的电源规划。依据业界硬件工程师的规划电路经历,电源规划是电路规划的中心,只要电源在长时刻安稳地作业条件下,嵌入式体系的各个模块才或许完结其相应的作业。因而,电源的规划与完结在该嵌入式体系中占有至关重要的效果。

1 大局电源规划

在本体系中,经过调查各模块电路和芯片参数等多方面要素,确认了整个体系的大局电源为5V输出;因为DM6446中的ARM内核和DSP内核等均为高功耗模块,所以在大局电源规划中,应考虑体系的最大功耗,使其能保护整个模块体系能正常安稳作业,并根绝过度发热现象。

综上所述,界说大局电源输出电压:Vo=5 V,负荷电流:Io-TYP=12 A,输入电压Vin-TYP=12 V,软发动时刻tss=5 ms。选用LM3150降压电源芯片,其输入电压规模可到达6~24 V,输出电流最高达12 A,到达规划要求。

1.1 规划输出电压

大局稳压电源电路图如图1所示,依据输出电压计算公式:

依据DM6446嵌入式虹膜辨认体系的电源规划与完结
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1.2 使能端软件关机电路

该电路运用阻隔的小电压操控LM3150电源的使能引脚(EN),确保了单片机操控电路引脚不受倒灌的高电压损害。

软件关机电路图如图2所示,在调试阶段,焊接R52电阻,使得Q1基极为低,Q1断开,Power_On端经R10接地,使得LM3150电源电路停用;当不焊接R52电阻时,Q1基极为高电平,Q1导通,此刻,Power_on端电压

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,因为VPower_on>1.26 V时,发动LM3150电源电路。(注:此刻的VPower_on可依据电阻的不同阻值恣意调理,完结了小电压操控某大电压通断)

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在软件关机电路中,将单片机的引脚衔接到Power_set端,当Power_set端为高电平时,Q2导通,使Q1基极为低;当Power_set端为低电平时,Q2断开,使Q1基极为高电平。以完结用单片机操控整个电路电源的通断,并处理了LM3150反应电流倒灌使单片机焚毁的问题。

2 内核电源规划

依据DM6446内核功耗表,如表1所示,在频率到达594 MHz的情况下,内核电压为1.2 V,功耗为1.05 W,内核所需电流为:

依据DM6446嵌入式虹膜辨认体系的电源规划与完结

本体系规划时,选用了810 MHz的DM6446,其内核功耗会高于1.05 W,所需内核电流也高于0.875 A,其内核电压为1.3 V;并且在体系板中的FPGA(EP3C55F780)所需内核电压为1.2 V,综上两种要素的考虑,因而,其一,内核电源需供应1.2 V和1.3 V两种不同电压;其二,为使810 MHz的DSP内核能安稳作业,需为其供应功耗余量,供应的最大电流操控在3A左右。

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规划时选用TPS54386电源芯片,它不仅能供应最大为3 A的大电流,并且仍是双电压输出形式。内核电源的典型电路图如图3所示。

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规划反应电阻R1和R2以确保输出电压为抱负输出电压。如图4所示TPS54386反应电路。

依据DM6446嵌入式虹膜辨认体系的电源规划与完结
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3 I/O模块电源规划

关于DSP外围I/O口模块电压分别为1.8 V和3.3 V,相同选用TPS54386电源芯片,依据以上的规划办法:

依据DM6446嵌入式虹膜辨认体系的电源规划与完结
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在规划过程中,如图5,图6所示,考虑到DSP内核的上电时刻应比I/O模块的上电时刻提早或同时发生,而两模块供电又是分隔的,因而需规划硬件推迟电路。

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(其间,VTH=1.2 V、IENX=6μA、R=51 kΩ),这儿取C=12 pF时,推迟时刻为tDELAY=100 ns。

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3.1 CVDD和CVDDSP的阻隔

ARM内核和DSP内核上电次序如图7所示,DSP内核的上电时刻晚于ARM内核的上电时问,ARM上电后,使整个体系开端正常工作,而进行数据处理的DSP内核应在ARM上电一段时刻后上电或不上电。所以对其供应1.3 V电压时,两内核之间需运用功率电感推迟电流,起到阻隔的效果。规划时,将CVDD直接衔接1.3 V电源,而CVDDSP经过一个功率电感后,再衔接1.3 V电源。

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3.2 PLL电源规划

开关电源搅扰首要来源于工频电流的整流波形和开关操作波形,这些波形的电流走漏到输入部位就成为传导噪声和辐射噪声,走漏到输出部位就形成了纹波问题。PLL外部电路如图8所示,考虑到电磁兼容性的有关要求,在外部规划时参加EMI滤波网络,阻隔外部电源纹波引进,按捺开关电源上的搅扰。

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3.3 DAC内核电压和模仿I/O电压的规划

因为DSP内核电压(Vcore=1.3 V)不能直接供应DAC内核(VDDAIPIV=1.2 V),为增强DAC内核电源安稳性,如图9所示,选用功率电感L21,L22进行纹波滤波处理。而DAC的参阅电压0.5 V无需吸入大电流,因而直接选用稳压二极管就能完结。模仿I/O电压VDDAIP8V=1.8 V,规划办法与上相同。

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3.4 DDR2电源规划

DDR2外部电路图如图10所示,DVDDR2经过EMI滤波网络将1.8 V电压接入到DDR_VDDDLL引脚,完结对DDR2供电的意图;因为DDR2接口端输入阻抗大,所以DDR_VREF参阅电压经过两个阻值为1 kΩ的电阻分压为0.9 V。

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4 定论

嵌入式虹膜辨认体系的电源网络选用软件关机电路进行操控,满意了810 MHz的DSP等各类高功耗内核的需求,并处理了内核上电时序先后次序及其延时问题,提高了体系的安稳性和可靠性。该嵌入式虹膜辨认体系现已量化投产,并成功投入社会运用。依据其实践运用标明,该电源体系具有可控性好、电压安稳、宽输入电压,并满意嵌入式体系一切器材功耗需求等的特色,到达了规划要求。

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