技能的视点比较，CCD与CMOS的差异有如下四个方面的不同：
1.信息读取方法
CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号操控下一位一位地施行搬运后读取，电荷信息搬运和读取输出需求有时钟操控电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为杂乱。CMOS光电传感器经光电转化后直接发生电流(或电压)信号，信号读取十分简略。
2.速度
CCD电荷耦合器需在同步时钟的操控下，以行为单位一位一位地输出信息，速度较慢;而CMOS光电传感器收集光信号的一起就可以取出电信号，还能一起处理各单元的图画信息，速度比CCD电荷耦合器快许多。
3.电源及耗电量
CCD电荷耦合器大多需求三组电源供电，耗电量较大;CMOS光电传感器只需运用一个电源，耗电量十分小，仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。
4.成像质量
CCD电荷耦合器制造技能起步早，技能老练，选用PN结或二氧化硅(SiO2)阻隔层阻隔噪声，成像质量相对CMOS光电传感器有必定优势。因为CMOS光电传感器集成度高，各光电传感元件、电路之间间隔很近，相互之间的光、电、磁搅扰较严峻，噪声对图画质量影响很大，使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入有用。近年，跟着CMOS电路消噪技能的不断发展，为出产高密度优质的CMOS图画传感器供给了杰出的条件。
