LVDT位移传感器是用于微位移精细丈量的高精度位移传感器。为进步传感器的丈量精度与产品功能，需要从软、硬件方面归纳考虑，改进位移传感器的输出特性。
LVDT位移传感器选用差动变压器式结构，两个次级线圈选用反向串联的办法衔接，输出与铁芯位移量存在必定线性关系的电压值。当在初级线圈绕组加上恰当的鼓励电压，移动铁芯方位会在两个次级线圈绕组中相应地发生感应电动势。假如能保证变压器结构彻底对称，那么在可动铁芯滑动到平衡方位（便是两个次级线圈绕组的几许中心方位）时，会使初级线圈绕组与两个次级线圈绕组别离效果发生的两个互感系数和在数值上持平，次级线圈感应电动势在数值上持平。因为变压器两个次级线圈绕组选用反向串联的衔接办法，差动变压器的输出电压为零，这便是LVDT位移传感器的零位电压。可是，在现在加工工艺条件下，无法保证变压器结构彻底对称。因而，LVDT位移传感器必定存在零残电压的缺点。
LVDT位移传感器发生零残电压的主要原因有：
因为两个次级绕组线圈的几许尺度和电气参数不对称，气隙不均匀，致使发生的感应电动势幅值不持平，相位不同。
因为磁性材料的磁化曲线具有非线性，磁路也具有不对称性（这也是LVDT位移传感器或许输出高次谐波的主要原因）。
零残电压对LVDT位移传感器的影响主要有：
传感器输出特性在零点方位邻近不灵敏，约束了位移传感器分辨率的进步；
假如传感器零残电压太大，会大幅影响位移传感器的线性精度，也会使传感器的灵敏度大幅下降。
为了减小LVDT位移传感器的零残电压，线圈绕制进程中药尽量保证初级线圈与次级线圈结构的均匀与对称；次级线圈磁路的对称；铁芯选材应保证原料均匀，经热处理改进型材的机械功能和磁性；规划有用的电路补偿。补偿电路方式许多，常见的有：电阻串联，电阻并联，电容并联，外加反应绕组或反应电容等，是一种简略有用的办法。
