作为信息的载体，除了本来的电荷之外，还有使用自旋现象的晶体管(Spin Transistor)。自旋晶体管不只可使晶体管完成非易失化，还可以减少开关能量。估量2020年以后会有用化。
曾经一说到自旋晶体管，大多是指经过栅极电场使通道自旋状况回转的“自旋FET”。自旋FET除了具有非易失性之外，与现有MOSFET比较，还可以下降开关能量。原因是，使通道自旋状况回转所需的能量低于现有构成MOSFET通道所需求的能量。不过，自旋FET还面临着完成使通道自旋状况回转所需的0.1～1μm级长度通道等许多有用化课题。
自旋FET和自旋MOSFET
说到自旋晶体管，曾经多指使用栅极电场来改动自旋方向的自旋FET(a)。但最近，更挨近有用化的自旋MOSFET的研讨开发日益活泼起来(b)。
与上面说到的元件比较，作为更挨近有用的自旋晶体管，“自旋MOSFET”取得喜爱。自旋MOSFET是向一般MOSFET的源漏极部分导入强磁体，从而使晶体管完成非易失化的测验。因为开关原理与MOSFET根本相同，因而技能妨碍相对较低。
自旋MOSFET使用源极与漏极磁化方向的平行或反平行构成的源漏极间的阻力不同现象，使晶体管完成非易失化。虽然功用类似于MOSFET与MTJ(磁性地道结)元件的组合，但“自旋MOSFET更简单支撑低电压下的作业”
