磁阻效应传感器概述
磁阻效应传感器是依据磁性资料的磁阻效应制成的。磁性资料（如坡莫合金）具有各向异性，对它进行磁化时，其磁化方向将取决于资料的易磁化轴、资料的形状和磁化磁场的方向。当给带状坡莫合金资料通电流I时，资料的电阻取决于电流的方向与磁化方向的夹角。假如给资料施加一个磁场B（被测磁场），就会使本来的磁化方向滚动。假如磁化方向转向垂直于电流的方向，则资料的电阻将减小;假如磁化方向转向平行于电流的方向，则资料的电阻将增大。磁阻效应传感器一般有四个这样的电阻组成，并将它们接成电桥。在被测磁场B效果下，电桥中坐落相对方位的两个电阻阻值增大，别的两个电阻的阻值减小。在其线性范围内，电桥的输出电压与被测磁场成正比。
磁阻传感器现已能制造在硅片上，并构成产品。其灵敏度和线性度现已能满意磁罗盘的要求，各方面的功能显着优于霍尔器材。迟滞差错和零点温度漂移还可选用对传感器进行替换正向磁化和反向磁化的办法加以消除。因为磁阻传感器的这些优胜功能，使它在某些使用场合可以与磁通门竞赛。
FNN-3300便是用的磁阻传感器，在市场上占有很重要的位置，所以证明在电子罗盘中磁阻式的是优于霍尔效应及磁通门的。
磁阻效应传感器作业原理
磁阻元件相似霍尔元件，但它的作业原理是使用半导体资料的磁阻效应（或称高斯效应）。与霍尔效应的差异如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻改变。
表明一种丈量位移的磁阻效应传感器。将磁阻元件置于磁场中，当它相对于磁场发作位移时，元件内阻R1、R2发作改变，假如将它们接于电桥，则其输出电压份额于电阻的改变。
发生磁阻效应的原理：
磁阻效应与资料性质及几许形状有关，一般迁移率大的资料，磁阻效应愈明显；元件的长、宽比愈小，磁阻效应愈大。
磁阻元件可用于位移、力、加速度等参数的丈量。
